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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	2021-09	DC performance improvement of nanochannel AlGaN/AlN/GaN HEMTs with reduced OFF-state leakage current by post-gate annealing modulation	Mazumder;Soumen;Wu;Zhan-Gao;Pan;Cheng, Po;Li;Ssu-Hsien;Wang;Yeong-Her
國立成功大學	2021-02	Combined Implications of UV/O-3 Interface Modulation with HfSiOX Surface Passivation on AlGaN/AlN/GaN MOS-HEMT	Mazumder;Soumen;Li;Ssu-Hsien;Wu;Zhan-Gao;Wang;Yeong-Her

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