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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2018-10-11	NONVOLATILE MEMORY AND ITS OPERATION METHOD THEREOF	E-Ray HSIEH; Steve S. CHUNG
國立交通大學	2017-08-03	STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE	Yi-Hsien LIN; E-Ray HSIEH; Steve S. CHUNG
國立交通大學	2017-02-02	DIELECTRIC FUSE MEMORY CIRCUIT AND OPERATION METHOD THEREOF	Zhi-Hong HUANG; E-Ray HSIEH; Steve S. CHUNG
國立交通大學	2014-12-12T02:28:17Z	深次微米與奈米金氧半元件氧化層界面與製程導致元件可靠性的探討	陳尚志; Shang-Jr Chen; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:28:05Z	利用汲極端包覆性植入結構改善快閃記憶體的性能與可靠性之研究	林新富; Lin Hsin-Fu; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:28:04Z	利用閘二極體量測法評估雙閘極金氧半電晶體的熱載子和負偏壓溫度可靠性	羅大剛; Da-Kang Lo; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:25:37Z	使用多重氧化層技術成長之雙閘極金氧半元件偏壓與溫度效應之可靠性研究	林清淳; Ching-Chung Lin; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:25:37Z	利用汲極崩潰熱電子注入操作的快閃式記憶體元件性能及可靠性研究	陳映仁; Yin Jen Chen; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:25:36Z	不同浮動閘極材料P通道快閃記憶體性能與可靠性之改進	蔡皓偉; Hao-Wei Tsai; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:24:32Z	高介電氧化層MOSFET元件之低漏電電荷幫浦量測技術	朱益輝; Yi - Huei Ju; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:23:59Z	不同界面層與環狀植入對高介電氧化層CMOS元件可靠性影響之研究	李冠德; Guan-De Lee; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:23:21Z	以基極偏壓增強熱電子注入操作的快閃式記憶元件可靠性研究	羅思覺; Sze-Jua Luo; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:23:17Z	不同浮動閘極材料N通道快閃記憶體資料保存特性研究	吳柏璋; Bo-chang Wu; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:23:17Z	電荷幫浦法於薄閘極氧化層淺接面延伸結構之N型金氧半元件電漿蝕刻傷害之研究	高瑄苓; Hsuan-ling Kao; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:20:51Z	N與P通道快閃記憶體性能與可靠性之比較研究	廖勝泰; Shen-Tai Liaw; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:20:51Z	利用P型浮動閘極材料改善N通道快閃記憶體的性能與可靠性之研究	何之浩; Zhi-Hao Ho; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:20:51Z	可用於快閃式記憶體反覆寫入抹除前後之直流與暫態模式	吳尚修; Shang-Hsiu Wu; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:20:51Z	淺凹槽隔離深次微米互補金氧半元件窄寬度效應熱載子可靠性的研究	楊文杰; Wen-Jei Yang; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:20:50Z	快閃式記憶元件中熱載子注入導致的可靠性問題研究	易成名; Cherng-Ming Yih; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:17:33Z	高介電係數夾層LDD N型金氧半元件可靠性設計之探討	王政烈; Wang, Cheng-Lieh; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:17:32Z	P通道金屬半快閃式記憶體中不同程式化的可靠性評估	郭松年; Kuo, Song-Nian; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:15:40Z	次微米MOS元件中熱電子導致氧化層傷害及元件特性退化分析	李建宏; Lee, Giahn-Horng; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:15:38Z	供電路模擬器SPICE使用之複晶矽薄膜電晶體模式	鄭基廷; Cheng, Chi-Ting; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:15:32Z	半空乏型矽氧化絕緣基片MOS元件之熱電子可靠性	葉俊祺; Yeh, Jun-Chyi; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:12:11Z	VLSI可靠性中由熱載子產生氧化層傷害的模式與模擬	蘇振順; jen-Shien Su; 莊紹勳; Steve S. Chung

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