臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-12T02:20:51Z	利用P型浮動閘極材料改善N通道快閃記憶體的性能與可靠性之研究	何之浩; Zhi-Hao Ho; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:20:51Z	可用於快閃式記憶體反覆寫入抹除前後之直流與暫態模式	吳尚修; Shang-Hsiu Wu; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:20:51Z	淺凹槽隔離深次微米互補金氧半元件窄寬度效應熱載子可靠性的研究	楊文杰; Wen-Jei Yang; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:20:50Z	快閃式記憶元件中熱載子注入導致的可靠性問題研究	易成名; Cherng-Ming Yih; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:17:33Z	高介電係數夾層LDD N型金氧半元件可靠性設計之探討	王政烈; Wang, Cheng-Lieh; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:17:32Z	P通道金屬半快閃式記憶體中不同程式化的可靠性評估	郭松年; Kuo, Song-Nian; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:15:40Z	次微米MOS元件中熱電子導致氧化層傷害及元件特性退化分析	李建宏; Lee, Giahn-Horng; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:15:38Z	供電路模擬器SPICE使用之複晶矽薄膜電晶體模式	鄭基廷; Cheng, Chi-Ting; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:15:32Z	半空乏型矽氧化絕緣基片MOS元件之熱電子可靠性	葉俊祺; Yeh, Jun-Chyi; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:12:11Z	VLSI可靠性中由熱載子產生氧化層傷害的模式與模擬	蘇振順; jen-Shien Su; 莊紹勳; Steve S. Chung

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