臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
國立交通大學	2014-12-12T02:28:04Z	利用閘二極體量測法評估雙閘極金氧半電晶體的熱載子和負偏壓溫度可靠性	羅大剛; Da-Kang Lo; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:25:37Z	使用多重氧化層技術成長之雙閘極金氧半元件偏壓與溫度效應之可靠性研究	林清淳; Ching-Chung Lin; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:25:37Z	利用汲極崩潰熱電子注入操作的快閃式記憶體元件性能及可靠性研究	陳映仁; Yin Jen Chen; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:25:36Z	不同浮動閘極材料P通道快閃記憶體性能與可靠性之改進	蔡皓偉; Hao-Wei Tsai; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:24:32Z	高介電氧化層MOSFET元件之低漏電電荷幫浦量測技術	朱益輝; Yi - Huei Ju; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:23:59Z	不同界面層與環狀植入對高介電氧化層CMOS元件可靠性影響之研究	李冠德; Guan-De Lee; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:23:21Z	以基極偏壓增強熱電子注入操作的快閃式記憶元件可靠性研究	羅思覺; Sze-Jua Luo; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:23:17Z	不同浮動閘極材料N通道快閃記憶體資料保存特性研究	吳柏璋; Bo-chang Wu; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:23:17Z	電荷幫浦法於薄閘極氧化層淺接面延伸結構之N型金氧半元件電漿蝕刻傷害之研究	高瑄苓; Hsuan-ling Kao; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:20:51Z	N與P通道快閃記憶體性能與可靠性之比較研究	廖勝泰; Shen-Tai Liaw; 莊紹勳; Steve S. Chung

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