English  |  正體中文  |  简体中文  |  Total items :0  
Visitors :  51250538    Online Users :  889
Project Commissioned by the Ministry of Education
Project Executed by National Taiwan University Library
 
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
About TAIR

Browse By

News

Copyright

Related Links

"steve s chung"

Return to Browse by Author
Sorting by Title Sort by Date

Showing items 6-30 of 37  (2 Page(s) Totally)
1 2 > >>
View [10|25|50] records per page

Institution Date Title Author
國立交通大學 2014-12-12T02:28:04Z 利用閘二極體量測法評估雙閘極金氧半電晶體的熱載子和負偏壓溫度可靠性 羅大剛; Da-Kang Lo; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:25:37Z 使用多重氧化層技術成長之雙閘極金氧半元件偏壓與溫度效應之可靠性研究 林清淳; Ching-Chung Lin; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:25:37Z 利用汲極崩潰熱電子注入操作的快閃式記憶體元件性能及可靠性研究 陳映仁; Yin Jen Chen; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:25:36Z 不同浮動閘極材料P通道快閃記憶體性能與可靠性之改進 蔡皓偉; Hao-Wei Tsai; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:24:32Z 高介電氧化層MOSFET元件之低漏電電荷幫浦量測技術 朱益輝; Yi - Huei Ju; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:23:59Z 不同界面層與環狀植入對高介電氧化層CMOS元件可靠性影響之研究 李冠德; Guan-De Lee; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:23:21Z 以基極偏壓增強熱電子注入操作的快閃式記憶元件可靠性研究 羅思覺; Sze-Jua Luo; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:23:17Z 不同浮動閘極材料N通道快閃記憶體資料保存特性研究 吳柏璋; Bo-chang Wu; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:23:17Z 電荷幫浦法於薄閘極氧化層淺接面延伸結構之N型金氧半元件電漿蝕刻傷害之研究 高瑄苓; Hsuan-ling Kao; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:20:51Z N與P通道快閃記憶體性能與可靠性之比較研究 廖勝泰; Shen-Tai Liaw; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:20:51Z 利用P型浮動閘極材料改善N通道快閃記憶體的性能與可靠性之研究 何之浩; Zhi-Hao Ho; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:20:51Z 可用於快閃式記憶體反覆寫入抹除前後之直流與暫態模式 吳尚修; Shang-Hsiu Wu; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:20:51Z 淺凹槽隔離深次微米互補金氧半元件窄寬度效應熱載子可靠性的研究 楊文杰; Wen-Jei Yang; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:20:50Z 快閃式記憶元件中熱載子注入導致的可靠性問題研究 易成名; Cherng-Ming Yih; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:17:33Z 高介電係數夾層LDD N型金氧半元件可靠性設計之探討 王政烈; Wang, Cheng-Lieh; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:17:32Z P通道金屬半快閃式記憶體中不同程式化的可靠性評估 郭松年; Kuo, Song-Nian; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:15:40Z 次微米MOS元件中熱電子導致氧化層傷害及元件特性退化分析 李建宏; Lee, Giahn-Horng; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:15:38Z 供電路模擬器SPICE使用之複晶矽薄膜電晶體模式 鄭基廷; Cheng, Chi-Ting; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:15:32Z 半空乏型矽氧化絕緣基片MOS元件之熱電子可靠性 葉俊祺; Yeh, Jun-Chyi; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:12:11Z VLSI可靠性中由熱載子產生氧化層傷害的模式與模擬 蘇振順; jen-Shien Su; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:10:43Z 超大型積體電路類比數位混合式模擬器之設計 白祥麟; Jony Shiang Lin Bie; 莊紹勳; Steve S.Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:10:42Z 次微米MOS元件中因熱載子效應引起氧化層傷害之探討 唐嘉宏; Chia-Hung Tung; 莊紹勳; Steve S.Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:10:42Z 次微米大斜角植入式金氧半元件之特性分析與設計準則 周鵬程; Peng-Cheng Chou; 莊紹勳; Steve S.Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:09:58Z LOCOS閘極結構次微米金氧半元件的模式研究 張儉華; Chang, Chien-Hwa; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:34:13Z 先進氮化超薄氧化層及堆疊氧化層結構CMOS元件在熱載子與高溫負偏壓操作下的探討 顧子強; Zi-Qiang Ku; 莊紹勳; Steve S. Chung

Showing items 6-30 of 37  (2 Page(s) Totally)
1 2 > >>
View [10|25|50] records per page