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| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:53:33Z |
A high-efficiency 94-GHz 0.15-μm InGaAs/InAlAs/InP monolithic power HEMT amplifier
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Lai, R.;Ng, G.I.;Lo, D.C.W.;Block, T.;Wang, H.;Biedenbender, M.;Streit, D.C.;Liu, P.H.;Dia, R.M.;Lin, E.W.;Yen, H.C.; Lai, R.; Ng, G.I.; Lo, D.C.W.; Block, T.; Wang, H.; Biedenbender, M.; Streit, D.C.; Liu, P.H.; Dia, R.M.; Lin, E.W.; Yen, H.C.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:53:33Z |
A high-efficiency 94-GHz 0.15-μm InGaAs/InAlAs/InP monolithic power HEMT amplifier
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Lai, R.;Ng, G.I.;Lo, D.C.W.;Block, T.;Wang, H.;Biedenbender, M.;Streit, D.C.;Liu, P.H.;Dia, R.M.;Lin, E.W.;Yen, H.C.; Lai, R.; Ng, G.I.; Lo, D.C.W.; Block, T.; Wang, H.; Biedenbender, M.; Streit, D.C.; Liu, P.H.; Dia, R.M.; Lin, E.W.; Yen, H.C.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:53:32Z |
A 140-GHz Monolithic Low Noise Amplifier
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Wang, H.;Lai, R.;Lo, D.C.W.;Streit, D.C.;Liu, P.H.;Dia, R.M.;Berenz, J.; Wang, H.; Lai, R.; Lo, D.C.W.; Streit, D.C.; Liu, P.H.; Dia, R.M.; Berenz, J.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:53:32Z |
A 140-GHz Monolithic Low Noise Amplifier
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Wang, H.;Lai, R.;Lo, D.C.W.;Streit, D.C.;Liu, P.H.;Dia, R.M.;Berenz, J.; Wang, H.; Lai, R.; Lo, D.C.W.; Streit, D.C.; Liu, P.H.; Dia, R.M.; Berenz, J.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:53:32Z |
A 94-GHz Monolithic Balanced Power Amplifier Using 0.1-?m Gate GaAs-Based HEMT MMIC Production Process Technology
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Aust, M.;Wang, H.;Biedenbender, M.;Lai, R.;Streit, D.C.;Liu, P.H.;Dow, G.S.;Allen, B.R.; Aust, M.; Wang, H.; Biedenbender, M.; Lai, R.; Streit, D.C.; Liu, P.H.; Dow, G.S.; Allen, B.R.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:53:32Z |
A 94-GHz Monolithic Balanced Power Amplifier Using 0.1-?m Gate GaAs-Based HEMT MMIC Production Process Technology
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Aust, M.;Wang, H.;Biedenbender, M.;Lai, R.;Streit, D.C.;Liu, P.H.;Dow, G.S.;Allen, B.R.; Aust, M.; Wang, H.; Biedenbender, M.; Lai, R.; Streit, D.C.; Liu, P.H.; Dow, G.S.; Allen, B.R.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:53:31Z |
High performance and low DC power V-band MMIC LNA using 0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT technology
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Lai, R.;Chang, K.W.;Wang, H.;Tan, K.;Lo, D.C.;Streit, D.C.;Liu, P.H.;Dia, R.;Berenz, J.; Lai, R.; Chang, K.W.; Wang, H.; Tan, K.; Lo, D.C.; Streit, D.C.; Liu, P.H.; Dia, R.; Berenz, J.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:53:31Z |
High performance and low DC power V-band MMIC LNA using 0.1 μm InGaAs/InAlAs/InP HEMT technology
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Lai, R.;Chang, K.W.;Wang, H.;Tan, K.;Lo, D.C.;Streit, D.C.;Liu, P.H.;Dia, R.;Berenz, J.; Lai, R.; Chang, K.W.; Wang, H.; Tan, K.; Lo, D.C.; Streit, D.C.; Liu, P.H.; Dia, R.; Berenz, J.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:53:31Z |
A Monolithically Integrated 120-GHz InGaAs/InAlAs/InP HEMT Amplifier
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Lai, R.;Wang, H.;Tan, K.L.;Streit, D.C.;Liu, P.H.;Velebir, J.;Chen, S.;Berenz, J.;Pospieszalski, M.W.; Lai, R.; Wang, H.; Tan, K.L.; Streit, D.C.; Liu, P.H.; Velebir, J.; Chen, S.; Berenz, J.; Pospieszalski, M.W.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:53:31Z |
A Monolithically Integrated 120-GHz InGaAs/InAlAs/InP HEMT Amplifier
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Lai, R.;Wang, H.;Tan, K.L.;Streit, D.C.;Liu, P.H.;Velebir, J.;Chen, S.;Berenz, J.;Pospieszalski, M.W.; Lai, R.; Wang, H.; Tan, K.L.; Streit, D.C.; Liu, P.H.; Velebir, J.; Chen, S.; Berenz, J.; Pospieszalski, M.W.; HUEI WANG |
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