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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-13T10:41:05Z 源/汲極串聯電阻引致對高度微縮金氧半元件汲極電流不匹配及變異之反饋效應研究 蘇彬; Su Pin
國立交通大學 2014-12-13T10:31:50Z 次100奈米SOI CMOS的RF/Analog特性分析與模式建立(I) 蘇彬; Su Pin
國立交通大學 2014-12-13T10:31:32Z 一個用於部分與完全解離絕緣矽電路模擬的統整元件模型---65奈米SOI CMOS基體源極內建能障降低的探討 蘇彬; Su Pin
國立交通大學 2014-12-13T10:30:21Z 次100奈米SOI CMOS的RF/Analog特性分析與模式建立(II) 蘇彬; Su Pin
國立交通大學 2014-12-13T10:29:57Z 次50奈米Multiple-Gate SOI CMOS的特性分析與模式建立 蘇彬; Su Pin
國立交通大學 2014-12-12T02:45:23Z 鰭狀、穿隧場效電晶體和異質通道三維積體超薄層元件於超低功耗靜態隨機存取記憶體和邏輯電路之設計與分析 范銘隆; Fan, Ming-Long; 蘇彬; Su, Pin
國立交通大學 2014-12-12T02:45:17Z 三五族碎能隙異質接面穿隧式場效電晶體之隨機變易特性的模擬與探討 徐誌緯; Hsu, Chie-Wei; 蘇彬; Su, Pin
國立交通大學 2014-12-12T02:38:10Z 藉由三維沃爾洛伊圖對於隨機晶格邊界在可堆疊NAND記憶體造成的變異特性之模擬與分析 楊青維; Yang, Ching-Wei; 蘇彬; Su, Pin
國立交通大學 2014-12-12T02:26:31Z 矽奈米尺寸金氧半場效電晶體的載子傳輸與重要元件參數之實驗性的研究 李維; Lee, Wei; 蘇彬; Su, Pin
國立交通大學 2014-12-12T01:46:22Z 量子侷限效應對超薄絕緣鍺與砷化銦鎵金氧半場效電晶體的次臨界與後端閘極偏壓調變臨界電壓特性之理論研究 余昌鴻; Yu, Chang-Hung; 蘇彬; Su, Pin

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