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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2020-10-05T02:01:28Z Electrostatic Integrity in Negative-Capacitance FETs - A Subthreshold Modeling Approach Su, Pin; You, Wei-Xiang
國立交通大學 2020-03-02T03:23:33Z Investigation of Inversion Charge Characteristics and Inversion Charge Loss for InGaAs Negative-Capacitance Double-Gate FinFETs Considering Quantum Capacitance Huang, Shih-En; Lin, Shih-Han; Su, Pin
國立交通大學 2020-03-01 Variability Analysis for Ferroelectric FET Nonvolatile Memories Considering Random Ferroelectric-Dielectric Phase Distribution Liu, You-Sheng; Su, Pin
國立交通大學 2020-02-02T23:55:33Z Evaluation of 2D Negative-Capacitance FETs for Low-Voltage SRAM Applications Tseng, Kuei-Yang; You, Wei-Xiang; Su, Pin
國立交通大學 2020-02-02T23:55:33Z Impact of Multi-Domain Interaction on ON-State Characteristics of MFIS-Type 2D Negative-Capacitance FETs Lu, Po-Sheng; Lin, Chia-Chen; Su, Pin
國立交通大學 2020-02-02T23:55:33Z Device Structural Effects, SPICE Modeling and Circuit Evaluation for Negative-Capacitance FETs Su, Pin; You, Wei-Xiang
國立交通大學 2020-01-02T00:03:29Z Investigation of Ferroelectric Granularity for Double-Gate Negative-Capacitance FETs Considering Position and Number Fluctuations Fan, Che-Lun; Tseng, Kuei-Yang; Liu, You-Sheng; Su, Pin
國立交通大學 2020-01-01 A New 8T Hybrid Nonvolatile SRAM With Ferroelectric FET Hu, Chenming; Su, Pin; You, Wei-Xiang
國立交通大學 2019-12-13T01:12:54Z Benchmarking of Monolayer and Bilayer Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Based Logic Circuits and 6T SRAM Cells Yu, Chang-Hung; Su, Pin; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2019-10-05T00:08:43Z Depolarization Field in Ferroelectric Nonvolatile Memory Considering Minor Loop Operation You, Wei-Xiang; Su, Pin

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