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机构 日期 题名 作者
國立成功大學 2012-06 AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with multi-MgxNy/GaN buffer and Photo-CVD SiO2 gate dielectric Lee, K. H.; Chang, P. C.; Chang, S. J.; Su, Y. K.
國立臺灣科技大學 2012 Optical characterization of a strain-compensated GaAs 0.64Sb 0.36/GaAs 0.79P 0.21 quantum well structure grown by metal organic vapor phase epitaxy Huang, C.T.;Wu, J.D.;Liu, C.F.;Huang, Y.S.;Wan, C.T.;Su, Y.K.;Tiong, K.K.
國立臺灣科技大學 2012 The influence of direct cross-straits shipping on the smooth transition dynamics of stock volatilities of shipping companies Liu, H.-H.;Wu, C.-C.;Su, Y.K.
國立成功大學 2012 New compact tri-band bandpass filter with transmission zeros designed by using stub-loaded resonators Ye, C. -S.; Su, Y. -K.; Weng, M. -H.
國立成功大學 2011-09-29 Nanocrystalline silicon thickness dependence of transmission characteristics of CPWs on surface-passivated high-resistivity silicon substrates Wang, R. -L.; Su, Y. -K.; Chen, C. -J.; Hsueh, T. -J.
國立成功大學 2011-07-01 Laser Scribing of Sapphire Substrate to Increase Side Light Extraction of GaN-Based Light Emitting Diodes Chen, K. C.; Su, Y. K.; Lin, Chun-Liang; Hsu, H. C.
國立成功大學 2011-07 Enhancement of Light Output Power of GaN-Based Light-Emitting Diodes by a Reflective Current Blocking Layer Kao, C. C.; Su, Y. K.; Lin, C. L.
義守大學 2009-07 Improved performance of GaN-based Schottky barrier photodetectors by annealing Ir/Pt Schottky contact in O2 Chang, P.C.;Su, Y.K.; Lee, K.J.;Yu, C.L.;Chang, S.J.;Liu, C.H.
國立臺灣科技大學 2009 Temperature dependent surface photovoltage spectroscopy characterization of highly strained InGaAs/GaAs double quantum well structures grown by metal organic vapor phase epitaxy Chan C.H.; Wu J.D.; Huang Y.S.; Su Y.K.; Tiong K.K.
國立臺灣科技大學 2007 Contactless electroreflectance and photoluminescence study of highly strained InGaAs(Sb) double quantum wells Hsu H.P.; Korotcov A.; Huang Y.S.; Chen W.C.; Su Y.K.; Tiong K.K.

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