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| 國立虎尾科技大學 |
2006 |
High brightness OLED with dual emitting layers
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Shen, Weng-Chang;Su, Y. K.;Ji, Liang-Wen |
| 國立高雄應用科技大學 |
2005 |
Self-formation of GaN hollow nanocolumns by inductively coupled plasma etching
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HUNG, S.C.; SU, Y.K.; CHANG, S.J.; CHEN, S.C.; JI, L.W.; FANG, T.H.; TU, L.W.; CHEN, M. |
| 國立虎尾科技大學 |
2005 |
GaN nanocolumns formed by inductively coupled plasmas etching
|
Hung, S.C.;Su, Y.K.;Chang, S.J.;Chen, S.C.;Fang, T.H.;Ji, L.W. |
| 國立虎尾科技大學 |
2005 |
GaN nanocolumns formed by inductively coupled plasmas etching
|
Hung, S.C.;Su, Y.K.;Chang, S.J.;Chen, S.C.;Fang, T.H.;Ji, L.W. |
| 國立成功大學 |
2004 |
Nitride-based LEDs with 800 degrees C grown p-AllnGaN-GaN double-cap layers
|
Chang, S. J.; Wu, L. W.; Su, Y. K.; Hsu, Y. P.; Lai, W. C.; Tsai, J. A.; �Sheu,� Jinn-Kong; Lee C.T |
| 國立成功大學 |
2003-06-25 |
High transconductance nitride MOSHFETs
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Liu, C. H.; Wang, C. K.; Chang, Shoou-Jinn; Su, Y. K. |
| 國立成功大學 |
2003 |
High brightness InGaN/GaN LEDs with indium-tin-oxide as p-electrode
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Chang, C. S.; �Sheu, �Jinn-Kong; Su, Y. K.; Lai, W. C.; Kuo, C. H.; Wang, C. K.; Lin, Y. C.; Hsu, Y. P.; Shei, S. C.; Lo, H. M.; J. C. Ke; J. K. Sheu |
| 國立成功大學 |
2003 |
Characterizations of GaN Schottky barrier photodetectors with a highly-resistivity low-temperature GaN cap layer
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Lee, M. L.; �Sheu, �Jinn-Kong; Lai, W. C.; Chang, S. J.; Su, Y. K.; Chen, M. G.; Kao, C. J.; Tsai, J. M.; G.C.Chi |
| 國立成功大學 |
2003 |
Nitride-Based Near-Ultraviolet Multiple-Quantum Well Light-Emitting Diodes with AlGaN Barrier Layers
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Kao, C. J.; Chang, S. J.; Su, Y. K.; Wu, L. W.; �Sheu, �Jinn-Kong; Wen, T. C.; Lai, W. C.; Tsai, J. M.; S.C. Chen |
| 國立成功大學 |
2003 |
MOCVD growth of InGaN/GaN blue light emitting diodes on patterned sapphire substrates
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Chang, S. J.; Su, Y. K.; Lin, Y. C.; Chuang, R. W.; Chang, C. S.; �Sheu, �Jinn-Kong; Wen, T. C.; Shei, S. C.; Kuo, C. W.; Fang, D. H. |
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