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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-08T15:25:51Z	A novel fully self-aligned process for high cell density trench gate power MOSFETs	Tsui, BY; Gan, TC; Wu, MD; Chou, HH; Wu, ZL; Sune, CT
國立交通大學	2014-12-08T15:25:51Z	Trench gate power MOSFETs with retrograde body profile	Tsui, BY; Wu, MD; Gan, TC; Chou, HH; Wu, ZL; Sune, CT

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