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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:40:06Z Dielectric characteristics of low-permittivity silicate using electron beam direct patterning for intermetal dielectric applications Liu, PT; Chang, TC; Tsai, TM; Lin, ZW; Chen, CW; Chen, BC; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:39:54Z A method for fabricating a superior oxide/nitride/oxide gate stack Chang, TC; Yan, ST; Liu, PT; Wang, MC; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:39:53Z Quasi-superlattice storage - A concept of multilevel charge storage Chang, TC; Yan, ST; Liu, PT; Chen, CW; Wu, HH; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:39:46Z A novel approach of fabricating germanium nanocrystals for nonvolatile memory application Chang, TC; Yan, ST; Liu, PT; Chen, CW; Lin, SH; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:39:46Z A novel distributed charge storage element fabricated by the oxidation of amorphous silicon carbide Chang, TC; Yan, ST; Chen, YT; Liu, PT; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:39:45Z Study on SONOS nonvolatile memory technology using high-density plasma CVD silicon nitride Chang, TC; Yan, ST; Liu, PT; Chen, CW; Wu, YC; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:39:42Z Extraction of electrical mechanisms of low-dielectric constant material MSZ for interconnect applications Chang, TC; Yan, ST; Liu, R; Lin, ZW; Aoki, H; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:39:27Z Memory effect of oxide/SiC : O/oxide sandwiched structures Chang, TC; Yan, ST; Yang, FM; Liu, PT; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:39:21Z A distributed charge storage with GeO2 nanodots Chang, TC; Yan, ST; Hsu, CH; Tang, MT; Lee, JF; Tai, YH; Liu, PT; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:39:16Z Method to improve chemical-mechanical-planarization polishing rate of low-k methyl-silsesquiazane for ultralarge scale integrated interconnect application Chang, TC; Tsai, TM; Liu, PT; Yan, ST; Chang, YC; Aoki, H; Sze, SM; Tseng, TY

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