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機構	日期	題名	作者
國立交通大學	2018-01-24T07:41:43Z	氮化矽快閃記憶體中資料儲存模式對內部電荷橫向傳輸之影響	林曉宜; 汪大暉; Lin, Hsiao-Yi; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T03:03:02Z	氮化矽快閃式記憶元件可靠度之探討	古紹泓; Shaw-Hung Gu; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T03:02:27Z	利用特殊接觸電極研究橫向擴散元件之自發熱效應與可靠度	林家福; Jia-Fu Lin; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T03:02:17Z	先進 VLSI元件中遠程庫倫散射引起電子遷移率衰減之研究	吳致融; Chih-Jung Wu; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T03:02:15Z	SONOS記憶體陣列中因二次熱電子引致寫入干擾之蒙地卡羅分析	李致維　; Chih-Wei Li; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T03:02:14Z	二氧化鉿奈米晶體快閃式記憶元件可靠度分析	李智雄　; Chih-Hsiiung Li; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T03:02:12Z	利用蒙地卡羅模擬在應變矽晶面上不同通道方向之電洞傳輸特性	許家源　; Jia-Yuan Shiu; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T03:01:52Z	適用於靜電放電電路模擬之防護元件模型研究	林哲仕; Che-Shih Lin; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:51:31Z	高壓元件LDMOS可靠度分析與SPICE模型建立	杜冠潔; Kuan-Chieh Tu; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:46:12Z	先進閘極介電層互補式金氧半電晶體中電壓溫度引致不穩定性之研究	詹前泰; Chien-Tai Chan; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:30:43Z	CMOS元件1/f雜訊特性分析與模擬	邱凱翎; Kai-Ling Chiu; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:30:42Z	LDMOS功率元件特性分析及可靠性研究	李兆琪; Chao Chi Lee; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:30:39Z	SONOS元件內儲存電子之能量分佈與傳輸行為	江欣凱; Hsin-Kai Chiang; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:30:38Z	積體電路元件中因氧化層漏電所引發可靠性問題的探討	鄒年凱; Niain-Kai Zous; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:28:17Z	研究及控制離子佈植產生缺陷所引發之異常擴散在0.13微米及以下元件設計上的應用	王志豪; Chih-Hao Wang; 汪大暉; Tahui wang
國立交通大學	2014-12-12T02:25:32Z	鐵電記憶元件特性量測與電路模擬	李學儀; Shyue-Yi Lee; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:25:32Z	氮化矽記憶元件可靠性量測與分析	古紹泓; Shau-Hong Ku; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:25:24Z	射頻CMOS雜訊數值模擬	張育造; Yu-Tsao Chang; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:24:20Z	氮化矽記憶體資料保存行為之數值分析模擬	許智維; Hsu Chih-Wei; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:23:22Z	氮化矽快閃記憶體可靠性量測與分析	馬煥淇; Ma, Huan-chi; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:23:21Z	深次微米元件中熱載子效應所引發之氧化層可靠度	蔣汝平; Lu-Ping Chiang; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:23:13Z	超薄閘極氧化層電荷傳輸和C-V模擬與特性	陳旻政; Min-Cheng Chen; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:20:45Z	薄氧化層n型與p 型金氧半元件中熱載子效應對汲極電流的退化	黃立元; Li-Yuan Huang; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:20:45Z	射頻CMOS特性量測與電路模式	韓承憲; Cheng Xian Han; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:17:28Z	利用暫態電流量測技術研究超大型積體電路元件中氧化層之可靠度	張澤恩; Chang, Tse-En; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:17:27Z	薄氧化層的金氧半元件中閘極漏電流之模式	沈冠岳; Shen, Kuan-Yueh; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:17:23Z	一種量測快閃式記憶體元件中微量漏電流的新式方法	王智弘; Wang, Chih-Hung; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:15:36Z	次微米n-MOS在低汲極偏壓下,因電子間的交互作用所產生之閘極漏電流	林紹祺; Lin, Shao-Chi; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:15:29Z	一種新式氧化層缺陷量測方法	蔣汝平; Chiang, Lu-Ping; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:13:54Z	三維微電子真空元件模擬	李殷; Yiin Lee; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:13:48Z	寄生在CMOS中之BJT的特性分析與模式	廖婉妤; Wan-Yu Liao; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:13:46Z	次微米MOS中的熱載子效應	陳君強; Jiun-Chiang Chen; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:13:38Z	單晶微波積體電路之元件傳輸物理、元件模式化與一2 GHz降頻器之設計	謝定華; Ting-Hua Hsieh; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:12:11Z	量子井面向雷射特性與數值模擬	陳瑞益; Re-Yi Chen; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:10:39Z	三維真空微電子場放射元件模擬器	蔡文哲; Wen-Jer Tsai; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T02:10:38Z	二維量子井半導體雷射模擬	葉文中; Wen-Jong Yeh; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T01:37:28Z	新型PHINES和PREM快閃記憶體及氮化矽型發光電晶體之研究	葉致鍇; Chih-Chieh Yeh; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T01:34:20Z	超薄氧化層n-MOSFET元件之低頻雜訊分析	游建文; Jian-Wen You; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T01:31:58Z	氮化矽記憶元件內電荷分佈與可靠性分析	王銘德; Ming-Te Wang; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T01:20:53Z	類比電路中之n型金氧半導體場效電晶體元件汲極電流低頻雜訊之探討	吳俊威; Jun-Wei Wu; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T01:13:37Z	利用特殊接觸電極進行橫向擴散元件之特性分析與SPICE模型建立	熊勖廷; Hsu-Ting Shiung; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T01:13:34Z	利用RTS 方法研究SONOS 快閃記憶體寫入/抹除電荷之橫向分佈特性	趙元鵬; Yuan-Peng Chao; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T01:13:33Z	SONOS記憶體因寫入電子之隨機特性造成臨界電壓擾動之模擬分析	林彥君; Yen-Chen Lin; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T01:13:31Z	矽及鍺通道P型金氧半電晶體二維量子井模擬	邱子華; Tzu-Hua Chiu; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T01:13:13Z	以NafionTM/PR包埋結構作為REFET參考場效電晶體感測層之研究	陳明聰; Ming-Cong Chen; 汪大暉; Tahui Wang
國立交通大學	2014-12-12T01:13:12Z	利用氧化提昇矽鍺奈米線生物感測器之靈敏度	趙文全; Wen-Chuan Chao; 汪大暉; Tahui Wang

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