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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-08T15:18:41Z	Temperature-dependent photoluminescence of highly strained InGaAsN/GaAs quantum wells (lambda=1.28-1.45 mu m) with GaAsP strain-compensated layers	Lai, FI; Kuo, HC; Chang, YH; Tsai, MY; Chu, CP; Kuo, SY; Wang, SC; Tansu, N; Yeh, JY; Mawst, LJ

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