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| 國立成功大學 |
1998 |
Visible-blind GaN Schottky barrier detectors grown on Si(111)
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Osinsky, A.; Gangopadhyay, S.; Yang, J. W.; Gaska, R.; Kuksenkov, D.; Temkin, H.; Shmagin, I. K.; Chang, Yun-Chorng; Muth, J. F.; Kolbas, R. M. |
| 國立臺灣大學 |
1994 |
Selective Area Epitaxy for Optoelectronic Devices
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王玉麟; Temkin, H.; Hamm, R. A.; Feygenson, A.; Ritter, D.; Harriott, L. R.; Wang, Yuh-Lin; Temkin, H.; Hamm, R. A.; Feygenson, A.; Ritter, D.; Harriott, L. R. |
| 國立臺灣大學 |
1993 |
Feature Size Effects on Selective Area Epitaxy of InGaAs
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王玉麟; Cotta, M. A.; Harriott, L. R.; Hamm, R. H.; Wade, H. H.; Weiner, J. S.; Ritter, D.; Temkin, H.; Wang, Yuh-Lin; Cotta, M. A.; Harriott, L. R.; Hamm, R. H.; Wade, H. H.; Weiner, J. S.; Ritter, D.; Temkin, H. |
| 國立臺灣大學 |
1993 |
Nanofabrication on InP Using Focused Ion Beam Lithography and Chlorine Etching:Process and Control
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王玉麟; Chu, C. H.; Hsieh, Y. F.; Harriott, L. R.; Wade, H. H.; Temkin, H.; Hamm, R. A.; Wang, Yuh-Lin; Chu, C. H.; Hsieh, Y. F.; Harriott, L. R.; Wade, H. H.; Temkin, H.; Hamm, R. A. |
| 國立臺灣大學 |
1992 |
Selective Area Growth of Hetrostructure Bipolar Transistors by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy
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王玉麟; Hamm, R. H.; Feygenson, A.; Ritter, D.; Temkin, H.; Panish, M.; Wang, Yuh-Lin; Hamm, R. H.; Feygenson, A.; Ritter, D.; Temkin, H.; Panish, M. |
| 國立臺灣大學 |
1991 |
Focused Ion Beam Vacuum Lithography of InP with an Native Oxide Resist
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王玉麟; Temkin, H.; Harriott, L. R.; Hamm, R. A.; Wang, Yuh-Lin; Temkin, H.; Harriott, L. R.; Hamm, R. A. |
| 國立臺灣大學 |
1991 |
Nanometer Scale Focused Ion Beam Vacuum Lithography Using an Ultrathin Native Oxide Resist
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王玉麟; Harriott, L. R.; Temkin, H.; Chu, C. H.; Hseih, Y. F.; Hamm, R. A.; Panish, M. B.; Wade, H. H.; Wang, Yuh-Lin; Harriott, L. R.; Temkin, H.; Chu, C. H.; Hseih, Y. F.; Hamm, R. A.; Panish, M. B.; Wade, H. H. |
| 國立臺灣大學 |
1991 |
Optical and Electrical Properties of InP/InGaAs Grown Selectively on Silicon dioxide-Masked InP
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王玉麟; Feygenson, A.; Hamm, R. H.; Ritter, D.; Weiner, J. S.; Temkin, H.; Panish, M. B.; Wang, Yuh-Lin; Feygenson, A.; Hamm, R. H.; Ritter, D.; Weiner, J. S.; Temkin, H.; Panish, M. B. |
| 國立臺灣大學 |
1991 |
Semiconductor Lasers Fabricated by Selective Area Epitaxy
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王玉麟; Temkin, H.; Hamm, R. A.; Yadvish, R. D.; Ritter, D.; Harriott, L. H.; Panish, M. B.; Wang, Yuh-Lin; Temkin, H.; Hamm, R. A.; Yadvish, R. D.; Ritter, D.; Harriott, L. H.; Panish, M. B. |
| 國立臺灣大學 |
1990 |
Buried Heterostructure Laser Fabricated by in-Situ Processing Techniques
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王玉麟; Temkin, H.; Harriott, L. R.; Logan, R. A.; Tanbun-Ek, T.; Wang, Yuh-Lin; Temkin, H.; Harriott, L. R.; Logan, R. A.; Tanbun-Ek, T. |
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