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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-12T03:06:32Z 區域性應力通道之氧化鉿n型金氧半場效電晶體特性及可靠度之改善 邱德馨; Te-Hsin Cjiu; 趙天生; Tien-Sheng Chao
國立交通大學 2014-12-12T03:06:28Z 氮化矽層內嵌奈米矽晶體之SONOS型記憶體 劉美君; Mei-Chun Liu; 趙天生; Tien-Sheng Chao
國立交通大學 2014-12-12T03:06:26Z 利用溶膠旋轉塗佈法備製鈦酸鈷高介電層 高國興; Kuo-Hsing Kao; 趙天生; Tien-Sheng Chao
國立交通大學 2014-12-12T03:06:26Z 氟氮離子摻雜應用於金屬閘極與高介電常數絕緣層之低溫多晶矽薄膜電晶體 楊宗諭; Tsung-Yu Yang; 趙天生; Tien-Sheng Chao
國立交通大學 2014-12-12T03:03:12Z 具高介電常數閘極絕緣層的低溫多晶矽薄膜電晶體之研究 馬鳴汶; Ming-Wen Ma; 雷添福; 趙天生; Tan-Fu Lei; Tien-Sheng Chao
國立交通大學 2014-12-12T03:03:10Z 先進金氧半場效電晶體閘極工程對改善元件特性及可靠度之研究 羅文政; Wen-Cheng Lo; 張俊彥; 趙天生; Chun-Yen Chang; Tien-Sheng Chao
國立交通大學 2014-12-12T03:02:49Z 新式奈米碳管電晶體製造與特性研究 陳百宏; Bae-Horng Chen; 黃調元; 趙天生; Tiao-Yuan Huang; Tien-Sheng Chao
國立交通大學 2014-12-12T02:56:19Z 氧化鉿閘極介電層之氟鈍化製程與應力工程的研究 吳偉成; Woei-Cherng Wu; 趙天生; 賴朝松; Tien-Sheng Chao; Chao-Sung Lai
國立交通大學 2014-12-12T02:56:12Z n型通道與p型通道完全鎳自我對準矽化源/汲與閘極複晶矽薄膜電晶體之研究 黃彥學; Yan-Syue Huang; 趙天生; Tien-Sheng Chao
國立交通大學 2014-12-12T02:56:12Z 矽奈米元件量子修正理論暨模式應用比較之研究 陳煒昕; Wei-Hsin Chen; 趙天生; Tien-Sheng Chao

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