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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	2004	Nitride-based LEDs with 800 degrees C grown p-AllnGaN-GaN double-cap layers	Chang, S. J.; Wu, L. W.; Su, Y. K.; Hsu, Y. P.; Lai, W. C.; Tsai, J. A.; �Sheu,� Jinn-Kong; Lee C.T
國立成功大學	2003-04	GaN metal-semiconductor-metal photodetectors with low-temperature-GaN cap layers and ITO metal contacts	Chang, Shoou-Jinn; Lee, M. L.; Sheu, Jinn-Kong; Lai, W. C.; Su, Yan-Kuin; Chang, C. S.; Kao, C. J.; Chi, Gou-Chung; Tsai, J. A.

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