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國立成功大學 2003-01 White-light emission from near UV InGaN-GaN LED chip precoated with blue/green/red phosphors Sheu, Jinn-Kong; Chang, Shoou-Jinn; Kuo, C. H.; Su, Yan-Kuin; Wu, L. W.; Lin, Y. C.; Lai, W. C.; Tsai, J. M.; Chi, Gou-Chung; Wu, R. K.
國立成功大學 2003 Characterizations of GaN Schottky barrier photodetectors with a highly-resistivity low-temperature GaN cap layer Lee, M. L.; �Sheu, �Jinn-Kong; Lai, W. C.; Chang, S. J.; Su, Y. K.; Chen, M. G.; Kao, C. J.; Tsai, J. M.; G.C.Chi
國立成功大學 2003 Nitride-Based Near-Ultraviolet Multiple-Quantum Well Light-Emitting Diodes with AlGaN Barrier Layers Kao, C. J.; Chang, S. J.; Su, Y. K.; Wu, L. W.; �Sheu, �Jinn-Kong; Wen, T. C.; Lai, W. C.; Tsai, J. M.; S.C. Chen
國立成功大學 2003 Low-dark-current GaN Metal-Semiconductor-Metal photodetectors with low-temperature GaN cap layer Chang, S. J.; Lee, M. L.; �Sheu, �Jinn-Kong; Lai, W. C.; Su, Y. K.; Chang, C. S.; Kao, C. J.; Chi, G. C.; Tsai, J. M.
國立成功大學 2003 Nitride-based LEDs with Si-Doped In0.23Ga0.77N/GaN Short-Period Superlattice Tunneling Contact Layer Kuo, C. H.; Chang, S. J.; Su, Y. K.; Chen, J. F.; �Sheu, �Jinn-Kong; Tsai, J. M.
國立成功大學 2003 Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer �Sheu, �Jinn-Kong; Kao, C. J.; Lee, M. L.; Lai, W. C.; Yeh, L. S.; Chi, G. C.; Chang, S. J.; Su, Y. K.; Tsai, J. M.
國立成功大學 2003 Nitride-based near UV MQW LEDs with AlGaN barrier layers Chang, S. J.; Kuo, C. H.; Su, Y. K.; Wu, L. W.; �Sheu, �Jinn-Kong; Wen, T. C.; Lai, W. C.; Chen, J. F.; Tsai, J. M.
國立臺灣大學 2003 Species database project of the TAI herbarium Hsieh, C. F.; Yang, S. Y.; Tsai, J. M.
國立臺灣大學 2003 Index for Chinese Name Hsieh, C. F.; Hsiao, A.; Tsai, J. M.
國立臺灣大學 2003 Index for Scientific Name Hsieh, C. F.; Hsiao, A.; Tsai, J. M.
國立成功大學 2002-08 400-nm InGaN-GaN and InGaN-AlGaN multiquantum well light-emitting diodes Chang, Shoou-Jinn; Kuo, C. H.; Su, Yan-Kuin; Wu, L. W.; Sheu, Jinn-Kong; Wen, Ten-Chin; Lai, W. C.; Chen, Jenn-Fang; Tsai, J. M.
國立成功大學 2002 GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet sensors with various contact electrodes Chen, C. H.; Chang, S. J.; Su, Y. K.; Chen, J. F.; Chi, G. C.; �Sheu, �Jinn-Kong; Lai, W. C.; Tsai, J. M.
國立成功大學 2001-10 Low-operation voltage of InGaN/GaN light-emitting diodes with Si-doped In0.3Ga0.7N/GaN short-period superlattice tunneling contact layer Sheu, Jinn-Kung; Tsai, J. M.; Shei, Shih-Chang; Lai, Wei-Chih; Wen, Ten-Chin; Ko, C. H.; Su, Yan-Kuin; Chang, Shoou-Jinn; Chi, Gou-Chung
國立成功大學 2001 Low-operation voltage of InGaN/GaN light-emitting diodes with Si-doped In0.23Ga0.77N/GaN short-period superlattice tunneling contact layer �Sheu, �Jinn-Kong; Tsai, J. M.; Shei, S. C.; Lai, W. C.; Wen, T. C.; Kuo, C. H.; Su, Y. K.; Chang, S. J.; Chi, G. C.

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