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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:42:03Z Electrical and optical properties of beryllium-implanted Mg-doped GaN Yu, CC; Chu, CF; Tsai, JY; Lin, CF; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:41:09Z InP/InGaAlAs distributed Bragg reflectors grown by low-pressure metal organic chemical vapor deposition Lu, TC; Tsai, JY; Chu, JT; Chang, YS; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:40:15Z High reflectivity distributed Bragg reflectors for 1.55 mu m VCSELs using InP/airgap Tsai, JY; Lu, TC; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:39:35Z Comparisons of InP/InGaAlAs and InAlAs/InGaAlAs distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition Lu, TC; Tsai, JY; Kuo, HC; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:39:26Z Effect of rapid thermal annealing on beryllium implanted p-type GaN Huang, HW; Kao, CC; Tsai, JY; Yu, CC; Chu, CF; Lee, JY; Kuo, SY; Lin, CF; Kuo, HC; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:39:26Z Study of dry etching for GaN and InGaN-based laser structure using inductively coupled plasma reactive ion etching Kao, CC; Huang, HW; Tsai, JY; Yu, CC; Lin, CF; Kuo, HC; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:27:43Z Reactive ion etching of compound semiconductors grown by MOCVD technique with BCl3/SF6/Ar mixtures Chang, KM; Tsai, JY; Yeh, CB; Yeh, TH; Wang, SW; Jou, MJ
國立交通大學 2014-12-08T15:18:37Z Fabrication and performance of blue GaN-based vertical-cavity surface emitting laser employing AlN/GaN and Ta2O5/SiO2 distributed Bragg reflector Kao, CC; Peng, YC; Yao, HH; Tsai, JY; Chang, YH; Chu, JT; Huang, HW; Kao, TT; Lu, TC; Kuo, HC; Wang, SC; Lin, CF
國立交通大學 2014-12-08T15:17:16Z The lasing characteristics of GaN-based vertical-cavity surface-emitting laser with AlN-GaN and Ta2O5-SiO2 distributed Bragg reflectors Kao, CC; Lu, TC; Huang, HW; Chu, JT; Peng, YC; Yao, HH; Tsai, JY; Kao, TT; Kuo, HC; Wang, SC; Lin, CF
國立交通大學 2014-12-08T15:17:12Z Enhanced light output in InGaN-based light-emitting diodes with onmidirectional one-dimensional photonic crystals Lin, CH; Tsai, JY; Kao, CC; Kuo, HC; Yu, CC; Lo, JR; Leung, KM

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