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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:02:54Z Compositional disordering of InGaAs/GaAs heterostructures by low-temperature-grown GaAs layers Tsang, JS; Lee, CP; Lee, SH; Tsai, KL; Tsai, CM; Fan, JC
國立交通大學 2014-12-08T15:02:51Z The effect of barrier structure on the performance of double barrier quantum well infra-red photodetectors Tsai, KL; Lee, CP; Chen, PC; Tsang, JS; Tsai, CM; Fan, JC
國立交通大學 2014-12-08T15:02:34Z The dependence of the electrical characteristics of the GaN epitaxial layer on the thermal treatment of the GaN buffer layer Lin, CF; Chi, GC; Feng, MS; Guo, JD; Tsang, JS; Hong, JMH
國立交通大學 2014-12-08T15:02:22Z Thermal reactions of Pd/AlxGa1-xAs contacts Chuang, HF; Lee, CP; Tsang, JS; Fan, JC
國立交通大學 2014-12-08T15:01:57Z Investigation of the indium atom interdiffusion on the growth of GaN/InGaN heterostructures Tsang, JS; Guo, JD; Chan, SH; Feng, MS; Chang, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:01:08Z Thermal annealing of Pd/InAlAs Schottky contacts for transistor buried-gate technologies Chuang, HF; Lee, CP; Tsai, CM; Liu, DC; Tsang, JS; Fan, JC
國立交通大學 2014-12-08T15:01:08Z Optical and structural properties of epitaxially lifted-off GaAs films Fan, JC; Lee, CP; Tsai, CM; Wang, SY; Tsang, JS

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