| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:30Z |
水熱法合成氧化鎢奈米束狀結構應用於可撓式基板之電致變色元件研究
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陳智浩; Chen, Chih-Hao; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:28Z |
利用後續沉積退火處理來提升雙層氧化物結構之電阻式記憶體轉態特性
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黃崇祐; Huang, Chung-Yu; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:20Z |
控制氧空缺或氧離子分佈於過渡金屬氧化物薄膜之電阻式記憶體元件的影響
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江政鴻; Jiang, Jheng-Hong; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:43Z |
有機金屬合成製備之鉭酸鍶鉍薄膜在非揮發性鐵電記憶體之研究
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連秋旺; Lian, Chiu-Wang; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:10Z |
鐵電記憶元件的低溫製程及電流遲滯研究
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李東昇; Lee Tung-Sheng; 曾俊元; Tseng Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:39Z |
鈦酸鍶鋇薄膜之特性與可靠度研究
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黃國治; Hunag Kuo-Chih; 曾俊元; Tseng Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:36Z |
低溫燒結BME-Z5U鈦酸鋇陶瓷電容器之研究
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林煜文; Lin, E-Won; 曾俊元; Tseng Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:08:46Z |
添加物對於PMN陶瓷介電材料特性影響之研究
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藍和谷; Lan, Ho-Ku; 曾俊元; 莊振益; Tseng, Tseung-Yuen; Juang, Jeng-Yih |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:06:14Z |
降溫速率對鑭加成鈦酸鋇基正溫度電阻係數的影響效應
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陳莘白; Chen, Hsin-Pai; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:12Z |
以水熱法製備氧化鎢奈米線網狀結構之電致變色元件研究
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黃乙軒; Huang, Yi-Hsuan; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:46:24Z |
鎵摻雜尖狀氧化鋅奈米柱陣列的場發射與光學特性之研究
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黃聖和; Huang, Sheng-He; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:46:21Z |
以氧化鋯製備雙層結構電阻式記憶體於單極性電阻轉態特性之研究
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吳家瑋; Wu, Jia-Woei; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:17Z |
以氧化鈣摻雜氧化鋯層於單極性電阻轉態效應之研究
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黃泰源; Huang, Tai-Yuan; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:08Z |
奈米碳管與錳氧化物奈米複合物超高電容器的製作與其特性之研究
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洪政漢; Hung, Jeng-Han; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:08Z |
High k / Metal Gate 金氧半場效電晶體
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何思翰; Ho, Szu-Han; 曾俊元; 張鼎張; Tseng, Tseung-Yuen; Chan, Ting-Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:08Z |
氧化鋯電阻式記憶體搭配電晶體之電阻轉換特性研究
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藺以煒; Lin, Yi-Wei; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:36:57Z |
不同電極對濺鍍法製備之氧化鋁薄膜於電阻式轉換記憶體之研究
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孫淑炫; Sun, Shu-Shiuan; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:36:56Z |
利用氮化鈦底電極改善溶膠凝膠法製備之鈦酸鉍薄膜電阻轉態特性之研究
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李盈賢; Li, Ying-Xin; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:28Z |
二元金屬氧化物電阻式記憶元件之界面效應研究
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李岱螢; Lee, Dai-Ying; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:27Z |
氧化鋯電阻式記憶元件搭配場效電晶體之特性研究
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吳明錡; Wu, Ming Chi; 曾俊元; Tseng, Tseung Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:27Z |
非晶態金屬氧化物薄膜電晶體之環境敏感性與可靠度
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鍾宛芳; Chung, Wan-Fang; 曾俊元; 張鼎張; Tseng, Tseung-Yuen; Chang, Ting-Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:10Z |
前瞻電阻式轉態記憶體元件之製作與特性研究
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蔡侑廷; Tsai, Yu-Ting; 曾俊元; 張鼎張; Tseng, Tseung-Yuen; Chang, Ting-Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:02Z |
鈦上電極對濺鍍法製備之鋯酸鍶薄膜其雙極性電阻轉換特性之研究
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葉昱廷; Yeh, Yu-Ting; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:02Z |
利用熱氧化法製備氧化銅薄膜於電阻式轉態記憶體之研究
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黃志文; Huang, Chih-Wen; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:24:37Z |
二元金屬氧化物應用於電阻式記憶體之界面特性研究
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王聖裕; Wang, Sheng-Yu; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
