English  |  正體中文  |  简体中文  |  總筆數 :0  
造訪人次 :  51186659    線上人數 :  596
教育部委託研究計畫      計畫執行:國立臺灣大學圖書館
 
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
關於TAIR

瀏覽

消息

著作權

相關連結

"tseng tseung yuen"的相關文件

回到依作者瀏覽
依題名排序 依日期排序

顯示項目 191-200 / 359 (共36頁)
<< < 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目

機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-13T10:41:31Z 大面積高效能之薄膜型全固態電致色變元件系統開發 (II) 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:41:22Z 奈米碳管陣列與錳氧化物奈米複合物超高電容器的製作與特性 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:38:53Z 微電子工程學門研究發展及推動規劃小組計畫 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:37:26Z 錳氧化物奈米複合材料與新穎三維碳奈米結構修飾電極製備及其應用於可撓式非對稱型超高電容器系統之研究 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:36:16Z 微電子工程學門研究發展及推動規劃小組計畫 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:32:12Z 高效能軟性之全固態薄膜型電致變色元件系統開發 (I) 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:29:39Z 一維與二維的氧化鋅奈米材料之製作、結構與特性研究(III) 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:29:20Z 高介電常數鈦酸鍶基閘極氧化物及元件的製作、結構與特性研究(III) 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:29:13Z 新世代電阻式非揮發性記憶元件之製作與特性研究 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-12T03:03:12Z 奈米點應用於先進非揮發性記憶體之製作與特性研究 林昭正; Lin, Chao-Cheng; 曾俊元; 張鼎張; Tseng, Tseung-Yuen; Chang, Ting-Chang

顯示項目 191-200 / 359 (共36頁)
<< < 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目