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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2018-08-21T05:53:14Z An ultra-compact blackbody using electrophoretic deposited carbon nanotube films Lin, Albert; Yang, Chien-Chih; Parashar, Parag; Lin, Chien-Yung; Jian, Ding Rung; Huang, Wei-Ming; Huang, Yi-Wen; Fu, Sze Ming; Zhong, Yan Kai; Tseng, Tseung Yuen
國立交通大學 2018-08-21T05:53:11Z A Collective Study on Modeling and Simulation of Resistive Random Access Memory Panda, Debashis; Sahu, Paritosh Piyush; Tseng, Tseung Yuen
國立交通大學 2018-08-21T05:53:08Z Facile synthesis of mesoporous NiFe2O4/CNTs nanocomposite cathode material for high performance asymmetric pseudocapacitors Kumar, Nagesh; Kumar, Amit; Huang, Guan-Min; Wu, Wen-Wei; Tseng, Tseung Yuen
國立交通大學 2018-08-21T05:52:56Z Endurance improvement and resistance stabilization of transparent multilayer resistance switching devices with oxygen deficient WOx layer and heat dissipating AlN buffer layer Lin, Yu-Hsuan; Huang, Ding-Chiuan; Lou, Jen-Chung; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2018-08-21T05:52:55Z Dynamic observation of reversible lithium storage phenomena in hybrid supercapacitor devices Huang, Guan-Min; Tsai, Tsung-Chun; Huang, Chun-Wei; Kumar, Nagesh; Tseng, Tseung-Yuen; Wu, Wen-Wei
國立交通大學 2018-08-21T05:52:54Z Role of nanorods insertion layer in ZnO-based electrochemical metallization memory cell Simanjuntak, Firman Mangasa; Singh, Pragya; Chandrasekaran, Sridhar; Lumbantoruan, Franky Juanda; Yang, Chih-Chieh; Huang, Chu-Jie; Lin, Chun-Chieh; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2018-08-21T05:52:48Z Effect of barrier layer on switching polarity of ZrO2-based conducting-bridge random access memory Chandrasekaran, Sridhar; Simanjuntak, Firman Mangasa; Tsai, Tsung-Ling; Lin, Chun-An; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2018-01-24T07:40:31Z 高導電度膠態電解液於固態超級電容之應用 林皓陽; 曾俊元; Lin, Hao-Yang; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2018-01-24T07:40:30Z 金屬氧化物選擇器搭配氧化鋯電阻式記憶體之特性研究 李承鴻; 曾俊元; Lee, Cheng-Hung; Tseng,Tseung-Yuen
國立交通大學 2018-01-24T07:40:30Z 氧化層雙向選擇器於電阻式記憶體之應用 楊敦智; 曾俊元; Yang, Tun-Chih; Tseng, Tseung-Yuen

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