| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:42:38Z |
大面積高效能之薄膜型全固態電致色變元件系統開發(I)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:42:36Z |
奈米碳管陣列與錳氧化物奈米複合物超高電容器的製作與特性
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:42:35Z |
非揮發性氧化鋯電阻式記憶元件於結構、特性與製程整合之相依性
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:41Z |
微電子工程學門研究發展及推動規劃小組計畫
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:39Z |
非揮發性氧化鋯電阻式記憶元件於結構、特性與製程整合之相依性
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:31Z |
大面積高效能之薄膜型全固態電致色變元件系統開發 (II)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:22Z |
奈米碳管陣列與錳氧化物奈米複合物超高電容器的製作與特性
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:38:53Z |
微電子工程學門研究發展及推動規劃小組計畫
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:37:26Z |
錳氧化物奈米複合材料與新穎三維碳奈米結構修飾電極製備及其應用於可撓式非對稱型超高電容器系統之研究
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:16Z |
微電子工程學門研究發展及推動規劃小組計畫
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:32:12Z |
高效能軟性之全固態薄膜型電致變色元件系統開發 (I)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:39Z |
一維與二維的氧化鋅奈米材料之製作、結構與特性研究(III)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:20Z |
高介電常數鈦酸鍶基閘極氧化物及元件的製作、結構與特性研究(III)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:13Z |
新世代電阻式非揮發性記憶元件之製作與特性研究
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:03:12Z |
奈米點應用於先進非揮發性記憶體之製作與特性研究
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林昭正; Lin, Chao-Cheng; 曾俊元; 張鼎張; Tseng, Tseung-Yuen; Chang, Ting-Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:28Z |
高可靠度特性的過渡金屬氧化物電阻式記憶體製作與特性研究
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黃駿揚; Huang, Chun-Yang; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:42:56Z |
奈米碳管/鈷氧化物複合電極材料於超高電容器之應用研究
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余芸錚; Yu, Yun-Cheng; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:42:33Z |
氧化鋯電阻式記憶體搭配氧化鎢之雙極性與自我限流特性研究
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林榆瑄; Lin, Yu-Hsuan; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:51Z |
氧化鋯電阻式記憶體之單極性電阻切換特性研究及其應用
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何宗翰; Ho, Tsung-Han; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:31Z |
高緻密鎵摻雜氧化鋅奈米柱薄膜應用於全透明高效能電阻式非揮發性記憶體特性
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何彥廷; Ho, Yen-Ting; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:30Z |
水熱法合成氧化鎢奈米束狀結構應用於可撓式基板之電致變色元件研究
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陳智浩; Chen, Chih-Hao; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:28Z |
利用後續沉積退火處理來提升雙層氧化物結構之電阻式記憶體轉態特性
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黃崇祐; Huang, Chung-Yu; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:20Z |
控制氧空缺或氧離子分佈於過渡金屬氧化物薄膜之電阻式記憶體元件的影響
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江政鴻; Jiang, Jheng-Hong; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:43Z |
有機金屬合成製備之鉭酸鍶鉍薄膜在非揮發性鐵電記憶體之研究
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連秋旺; Lian, Chiu-Wang; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:10Z |
鐵電記憶元件的低溫製程及電流遲滯研究
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李東昇; Lee Tung-Sheng; 曾俊元; Tseng Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:39Z |
鈦酸鍶鋇薄膜之特性與可靠度研究
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黃國治; Hunag Kuo-Chih; 曾俊元; Tseng Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:36Z |
低溫燒結BME-Z5U鈦酸鋇陶瓷電容器之研究
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林煜文; Lin, E-Won; 曾俊元; Tseng Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:08:46Z |
添加物對於PMN陶瓷介電材料特性影響之研究
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藍和谷; Lan, Ho-Ku; 曾俊元; 莊振益; Tseng, Tseung-Yuen; Juang, Jeng-Yih |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:06:14Z |
降溫速率對鑭加成鈦酸鋇基正溫度電阻係數的影響效應
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陳莘白; Chen, Hsin-Pai; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:12Z |
以水熱法製備氧化鎢奈米線網狀結構之電致變色元件研究
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黃乙軒; Huang, Yi-Hsuan; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:46:24Z |
鎵摻雜尖狀氧化鋅奈米柱陣列的場發射與光學特性之研究
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黃聖和; Huang, Sheng-He; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:46:21Z |
以氧化鋯製備雙層結構電阻式記憶體於單極性電阻轉態特性之研究
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吳家瑋; Wu, Jia-Woei; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:17Z |
以氧化鈣摻雜氧化鋯層於單極性電阻轉態效應之研究
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黃泰源; Huang, Tai-Yuan; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:08Z |
奈米碳管與錳氧化物奈米複合物超高電容器的製作與其特性之研究
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洪政漢; Hung, Jeng-Han; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:08Z |
High k / Metal Gate 金氧半場效電晶體
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何思翰; Ho, Szu-Han; 曾俊元; 張鼎張; Tseng, Tseung-Yuen; Chan, Ting-Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:08Z |
氧化鋯電阻式記憶體搭配電晶體之電阻轉換特性研究
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藺以煒; Lin, Yi-Wei; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:36:57Z |
不同電極對濺鍍法製備之氧化鋁薄膜於電阻式轉換記憶體之研究
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孫淑炫; Sun, Shu-Shiuan; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:36:56Z |
利用氮化鈦底電極改善溶膠凝膠法製備之鈦酸鉍薄膜電阻轉態特性之研究
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李盈賢; Li, Ying-Xin; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:28Z |
二元金屬氧化物電阻式記憶元件之界面效應研究
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李岱螢; Lee, Dai-Ying; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:27Z |
氧化鋯電阻式記憶元件搭配場效電晶體之特性研究
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吳明錡; Wu, Ming Chi; 曾俊元; Tseng, Tseung Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:27Z |
非晶態金屬氧化物薄膜電晶體之環境敏感性與可靠度
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鍾宛芳; Chung, Wan-Fang; 曾俊元; 張鼎張; Tseng, Tseung-Yuen; Chang, Ting-Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:10Z |
前瞻電阻式轉態記憶體元件之製作與特性研究
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蔡侑廷; Tsai, Yu-Ting; 曾俊元; 張鼎張; Tseng, Tseung-Yuen; Chang, Ting-Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:02Z |
鈦上電極對濺鍍法製備之鋯酸鍶薄膜其雙極性電阻轉換特性之研究
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葉昱廷; Yeh, Yu-Ting; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:02Z |
利用熱氧化法製備氧化銅薄膜於電阻式轉態記憶體之研究
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黃志文; Huang, Chih-Wen; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:24:37Z |
二元金屬氧化物應用於電阻式記憶體之界面特性研究
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王聖裕; Wang, Sheng-Yu; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:24:37Z |
鋯酸鍶基電阻式記憶元件特性與機制之研究
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林孟漢; Lin, Meng-Han; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:23:18Z |
奈米點記憶體元件之製作及其電性特性研究
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胡志瑋; Hu, Chih-Wei; 曾俊元; 張鼎張; Tseng, Tseung-Yuen; Chang, Ting-Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:48:37Z |
Effects of Vanadium Doping on Resistive Switching Characteristics and Mechanisms of SrZrO(3)-Based Memory Films
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Lin, Meng-Han; Wu, Ming-Chi; Lin, Chen-Hsi; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:48:10Z |
Size-dependent field-emission characteristics of ZnO nanowires grown by porous anodic aluminum oxide templates assistance
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Lai, Chun-Hung; Chang, Chia-Wei; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:48:10Z |
Formation of the distributed NiSiGe nanocrystals nonvolatile memory formed by rapidly annealing in N(2) and O(2) ambient
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Hu, Chih-Wei; Chang, Ting-Chang; Tu, Chun-Hao; Chiang, Cheng-Neng; Lin, Chao-Cheng; Chen, Min-Chen; Chang, Chun-Yen; Sze, Simon M.; Tseng, Tseung-Yuen |
