| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:42:38Z |
大面積高效能之薄膜型全固態電致色變元件系統開發(I)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:42:36Z |
奈米碳管陣列與錳氧化物奈米複合物超高電容器的製作與特性
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:42:35Z |
非揮發性氧化鋯電阻式記憶元件於結構、特性與製程整合之相依性
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:41Z |
微電子工程學門研究發展及推動規劃小組計畫
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:39Z |
非揮發性氧化鋯電阻式記憶元件於結構、特性與製程整合之相依性
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:31Z |
大面積高效能之薄膜型全固態電致色變元件系統開發 (II)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:22Z |
奈米碳管陣列與錳氧化物奈米複合物超高電容器的製作與特性
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:38:53Z |
微電子工程學門研究發展及推動規劃小組計畫
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:37:26Z |
錳氧化物奈米複合材料與新穎三維碳奈米結構修飾電極製備及其應用於可撓式非對稱型超高電容器系統之研究
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:36:16Z |
微電子工程學門研究發展及推動規劃小組計畫
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:32:12Z |
高效能軟性之全固態薄膜型電致變色元件系統開發 (I)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:39Z |
一維與二維的氧化鋅奈米材料之製作、結構與特性研究(III)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:20Z |
高介電常數鈦酸鍶基閘極氧化物及元件的製作、結構與特性研究(III)
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:13Z |
新世代電阻式非揮發性記憶元件之製作與特性研究
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曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:03:12Z |
奈米點應用於先進非揮發性記憶體之製作與特性研究
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林昭正; Lin, Chao-Cheng; 曾俊元; 張鼎張; Tseng, Tseung-Yuen; Chang, Ting-Chang |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:28Z |
高可靠度特性的過渡金屬氧化物電阻式記憶體製作與特性研究
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黃駿揚; Huang, Chun-Yang; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:42:56Z |
奈米碳管/鈷氧化物複合電極材料於超高電容器之應用研究
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余芸錚; Yu, Yun-Cheng; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:42:33Z |
氧化鋯電阻式記憶體搭配氧化鎢之雙極性與自我限流特性研究
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林榆瑄; Lin, Yu-Hsuan; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:36:51Z |
氧化鋯電阻式記憶體之單極性電阻切換特性研究及其應用
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何宗翰; Ho, Tsung-Han; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:31Z |
高緻密鎵摻雜氧化鋅奈米柱薄膜應用於全透明高效能電阻式非揮發性記憶體特性
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何彥廷; Ho, Yen-Ting; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:30Z |
水熱法合成氧化鎢奈米束狀結構應用於可撓式基板之電致變色元件研究
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陳智浩; Chen, Chih-Hao; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:28Z |
利用後續沉積退火處理來提升雙層氧化物結構之電阻式記憶體轉態特性
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黃崇祐; Huang, Chung-Yu; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:34:20Z |
控制氧空缺或氧離子分佈於過渡金屬氧化物薄膜之電阻式記憶體元件的影響
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江政鴻; Jiang, Jheng-Hong; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:43Z |
有機金屬合成製備之鉭酸鍶鉍薄膜在非揮發性鐵電記憶體之研究
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連秋旺; Lian, Chiu-Wang; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:28:10Z |
鐵電記憶元件的低溫製程及電流遲滯研究
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李東昇; Lee Tung-Sheng; 曾俊元; Tseng Tseung-Yuen |
