English  |  正體中文  |  简体中文  |  总笔数 :0  
造访人次 :  51104774    在线人数 :  1016
教育部委托研究计画      计画执行:国立台湾大学图书馆
 
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
关于TAIR

浏览

消息

著作权

相关连结

"tseung yuentseng"的相关文件

回到依作者浏览
依题名排序 依日期排序

显示项目 11-20 / 28 (共3页)
<< < 1 2 3 > >>
每页显示[10|25|50]项目

机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-13T10:36:59Z 8吋晶圓半導體LPCVD製程設備之研發---子計劃IV:利用LPCVD法成長Ta/sub 2/O/sub 5/薄膜與特性分析(III) 曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG
國立交通大學 2014-12-13T10:36:28Z SBT鐵電薄膜製備與特性的分析(III) 曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG
國立交通大學 2014-12-13T10:36:04Z SBT鐵電薄膜製備與特性的分析(IV) 曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG
國立交通大學 2014-12-13T10:35:37Z 12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫Ⅲ:利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(II) 曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG
國立交通大學 2014-12-13T10:35:27Z 新世代鐵電非揮發性記憶元件(I) 曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG
國立交通大學 2014-12-13T10:34:53Z 12吋矽晶圓半導體CVD製程設備及BST介電薄膜成長研究---子計畫III:利用CVD法成長BST薄膜與特性分析(III) 曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG
國立交通大學 2014-12-13T10:34:53Z 新世代鐵電非揮發性記憶元件(II) 曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG
國立交通大學 2014-12-13T10:34:24Z 金屬膜表面特性對電極材料附著力的影響研究 曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG
國立交通大學 2014-12-13T10:34:02Z 新世代鐵電非揮發性記憶元件(III) 曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG
國立交通大學 2014-12-13T10:34:00Z 正型氧化鋅奈米棒和薄膜/積層膜的製備和它們性質的探討 曾俊元; TSEUNG-YUENTSENG

显示项目 11-20 / 28 (共3页)
<< < 1 2 3 > >>
每页显示[10|25|50]项目