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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2017-04-21T06:49:47Z A Comparison Study on the Al-based Interfacial Layers for Ge MIS Devices Yang, Yi-Gin; Tsui, Bing-Yue
國立交通大學 2017-04-21T06:49:38Z A Reliable Schottky Barrier Height Extraction Procedure Tsui, Bing-Yue; Fu, Tze-Yu
國立交通大學 2017-04-21T06:49:06Z Effect of Formation Temperature on Quality of Gate Dielectric on Germanium Substrate Wei, Erh-Jye; Tsui, Bing-Yue; Wu, Pin-Jiun
國立交通大學 2017-04-21T06:48:46Z Re-examination the Effects of Selenium Segregation on the Schottky Barrier Height Reduction of the NiGe/Ge Contact Chen, Yi-Ju; Chou, Hung-Ju; Li, Ching-I; Tsui, Bing-Yue
國立交通大學 2017-04-21T06:48:34Z Evaluation of Electrical Performance of Various Tunnel TFETs Huang, Chi; Hung, Tao-Yi; Wang, Pei-Yu; Tsui, Bing-Yue
國立交通大學 2016-03-28T08:17:42Z 三維堆疊複晶矽非揮發性記憶體元件技術與分析 崔秉鉞; Tsui Bing-Yue
國立交通大學 2016-03-28T08:17:34Z 新穎穿隧電晶體及在其在超低功率生醫電子積體電路之應用 (III) 崔秉鉞; Tsui Bing-Yue
國立交通大學 2016-03-28T08:17:29Z 國立交通大學貴重儀器使用中心服務計畫 崔秉鉞; Tsui Bing-Yue
國立交通大學 2016-03-28T00:04:27Z Band Engineering to Improve Average Subthreshold Swing by Suppressing Low Electric Field Band-to-Band Tunneling With Epitaxial Tunnel Layer Tunnel FET Structure Wang, Pei-Yu; Tsui, Bing-Yue
國立交通大學 2016-03-28T00:04:08Z Experimental Demonstration of p-Channel Germanium Epitaxial Tunnel Layer (ETL) Tunnel FET With High Tunneling Current and High ON/OFF Ratio Wang, Pei-Yu; Tsui, Bing-Yue

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