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| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:30Z |
晶粒尺寸於垂直閘極半導體-氧化矽-氮化矽-氧 化矽-半導體記憶體元件特性變異之研究
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盧立偉; Lu, Li-Wei; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:29Z |
利用鋁基介面層之高品質金屬-絕緣層-鍺電容器之研究
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楊易瑾; Yang, Yi-Chin; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:49Z |
電漿處理對二氧化鉿/矽介面層抗輻射能力之影響
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廖雪君; Liao, Syue-Jyun; 崔秉鉞; 許博淵; Tsui, Bing-Yue; Shew, Bor-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:41Z |
游離輻射對N型電晶體的隨機電報雜訊之影響研究
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黃致弘; Huang, Zhi-Hong; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:38Z |
碳化矽金氧半場效電晶體通道遷移率劣化機制之研究
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王國丞; Wang, Kuo-Cheng; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:37:58Z |
鎳鍺化物與N型鍺接面摻雜析離對於蕭基位障的影響:透過第一原理計算
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林翰奇; Lin, Han-Chi; 崔秉鉞; 林炯源; Tsui, Bing-Yue; Lin, Chiung-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:37:58Z |
鎳鍺化物接觸之N+-P鍺淺接面及接觸電阻之研究
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施哲儒; Shih,Che-Ju; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:37:19Z |
以深層暫態能譜分析碳化矽缺陷之研究暨溝槽式接面蕭基位障二極體之設計分析
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連崇德; Lien, Chong-De; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:42Z |
逆向基體之高功率金氧半場效應電晶體
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吳旻達; Wu Min-Da; 崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:43Z |
前處理對二氧化鉿閘極介電層特性的影響
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金立峰; Chin, Li-Feng; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
显示项目 81-90 / 150 (共15页)
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