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| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:37:58Z |
鎳鍺化物與N型鍺接面摻雜析離對於蕭基位障的影響:透過第一原理計算
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林翰奇; Lin, Han-Chi; 崔秉鉞; 林炯源; Tsui, Bing-Yue; Lin, Chiung-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:37:58Z |
鎳鍺化物接觸之N+-P鍺淺接面及接觸電阻之研究
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施哲儒; Shih,Che-Ju; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:37:19Z |
以深層暫態能譜分析碳化矽缺陷之研究暨溝槽式接面蕭基位障二極體之設計分析
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連崇德; Lien, Chong-De; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:42Z |
逆向基體之高功率金氧半場效應電晶體
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吳旻達; Wu Min-Da; 崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:43Z |
前處理對二氧化鉿閘極介電層特性的影響
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金立峰; Chin, Li-Feng; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:06Z |
利用低熱預算製程改善碳化矽電容介面能態密度
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翁茂元; Marvin-Ueng; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:01Z |
萃取接觸阻抗係數方法之比較研究──CBKR結構與改良式TLM結構
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曾炫滋; Tseng, Hsuan-Tzu; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:01Z |
精確且高效率之蕭基位障萃取程序
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傅子瑜; Fu, Tz-Yu; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:01Z |
降低金屬與N型鍺接觸電阻之研究
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高銘鴻; Kao, Ming-Hong; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:54:37Z |
游離輻射對具有不同厚度之鉿氧化物金氧半元件影響之研究
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孫銘鴻; Sung, Ming-Hung; 崔秉鉞; 許博淵; Tsui, Bing-Yue; Shew, Bor-Yuan |
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