|
English
|
正體中文
|
简体中文
|
總筆數 :2852366
|
|
造訪人次 :
44974419
線上人數 :
1203
教育部委託研究計畫 計畫執行:國立臺灣大學圖書館
|
|
|
"tsui bing yue"的相關文件
顯示項目 26-35 / 150 (共15頁)
<< < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:06Z |
鰭狀磊晶穿隧層穿隧電晶體之性能評估及n型磊晶穿隧層穿隧電晶體性能改善之研究
|
林柏劭; 崔秉鉞; Lin, Po-Shao; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:06Z |
氮化矽逆向梯形波導耦合器之設計、製作與量測
|
林劭恩; 崔秉鉞; 陳瓊華; Lin, Shao-En; Tsui, Bing-Yue; Chen, Chyong-Hua |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:39:06Z |
晶粒結構對於平面與垂直閘極半導體-氧化矽-氮化矽-氧化矽-半導體記憶體寫入速度的影響
|
常瑋軒; 崔秉鉞; Chang, Wei-Hsuan; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:48Z |
以離子植入選擇性增加碳化矽氧化速率暨溝槽式接面位障蕭基二極體之研究
|
林忠佑; 崔秉鉞; Lin, Chung-Yu; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:38:25Z |
磊晶穿隧層穿隧電晶體之研究
|
王培宇; 崔秉鉞; Wang, Pei-Yu; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:56:49Z |
Investigation Into Gate-to-Source Capacitance Induced by Highly Efficient Band-to-Band Tunneling in p-Channel Ge Epitaxial Tunnel Layer Tunnel FET
|
Wang, Pei-Yu; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:56:33Z |
A comprehensive study on the oxidation of 4H-SiC in diluted N2O ambient
|
Tseng, Yuan-Hung; Wu, Tsung-Han; Tsui, Bing-Yue; Yen, Cheng-Tyng; Hung, Chien-Chung; Lee, Chwan-Ying |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:55:57Z |
Trenched 4H-SiC with tapered sidewall formed by Cl-2/O-2 reactive ion etching
|
Tseng, Yuan-Hung; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:55:47Z |
Band Engineering to Improve Average Subthreshold Swing by Suppressing Low Electric Field Band-to-Band Tunneling With Epitaxial Tunnel Layer Tunnel FET Structure
|
Wang, Pei-Yu; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:50:15Z |
Simulation of Grain-Boundary Traps Effect for 3D Vertical Gate NAND Flash Memory Cell : From Structure Geometry to Trap Description
|
Wang, Pei-Yu; Tsui, Bing-Yue |
顯示項目 26-35 / 150 (共15頁)
<< < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目
|
