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| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:26:54Z |
非揮發性記憶體的儲存電荷的空間分佈對元件特性的影響
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余昆武; Yu, Kun-Wu; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:26:54Z |
奈米碳管記憶體之電荷儲存效應研究
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王俊凱; Wang, Chun-Kai; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:26:54Z |
修正蕭基位障非揮發性記憶體於薄膜電晶體基板之研究
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賴瑞堯; Lai, Jui-Yao; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:23:18Z |
碳摻雜製程與高性能多晶矽奈米線薄膜電晶體之研究
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李振銘; Lee, Chen-Ming; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:21:57Z |
具多閘極之修正蕭基位障電晶體及氮化鈦奈米晶粒記憶體之研究
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盧季霈; Lu, Chi-Pei; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:48:41Z |
High-Performance Metal-Insulator-Metal Capacitors With HfTiO/Y(2)O(3) Stacked Dielectric
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Tsui, Bing-Yue; Hsu, Hsiao-Hsuan; Cheng, Chun-Hu |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:48:17Z |
Bias-Dependent Source Injection Resistance of Modified Schottky Barrier MOSFET
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Tsui, Bing-Yue; Lu, Chi-Pei; Liu, Hsiao-Han |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:40:57Z |
Nanoscale Multigate TiN Metal Nanocrystal Memory Using High-k Blocking Dielectric and High-Work-Function Gate Electrode Integrated on Silcon-on-Insulator Substrate
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Lu, Chi-Pei; Luo, Cheng-Kei; Tsui, Bing-Yue; Lin, Cha-Hsin; Tzeng, Pei-Jer; Wang, Ching-Chiun; Tsai, Ming-Jinn |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:36:25Z |
Schottky barrier height modification of metal/4H-SiC contact using ultrathin TiO2 insertion method
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Tsui, Bing-Yue; Cheng, Jung-Chien; Lee, Lurng-Shehng; Lee, Chwan-Ying; Tsai, Ming-Jinn |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:36:19Z |
Modeling the Impact of Random Grain Boundary Traps on the Electrical Behavior of Vertical Gate 3-D NAND Flash Memory Devices
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Hsiao, Yi-Hsuan; Lue, Hang-Ting; Chen, Wei-Chen; Chang, Kuo-Pin; Shih, Yen-Hao; Tsui, Bing-Yue; Hsieh, Kuang-Yeu; Lu, Chih-Yuan |
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