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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2018-08-21T05:53:52Z Bandgap engineering of Si1-xGex epitaxial tunnel layer for tunnel FETs Chen, Yi-Ju; Tsui, Bing-Yue
國立交通大學 2018-08-21T05:53:02Z Reduction of Specific Contact Resistance on n-Type Implanted 4H-SiC Through Argon Inductively Coupled Plasma Treatment and Post-Metal Deposition Annealing Cheng, Jung-Chien; Tsui, Bing-Yue
國立交通大學 2018-01-24T07:42:47Z 以二氧化鋯作為閘極介電層之鍺金屬-氧化層-半導體電容器與N型金屬-氧化層-半導體電晶體之閘極工程研究 詹詠翔; 崔秉鉞; Chan, Yung-Hsiang; Tsui, Bing-Yue
國立交通大學 2018-01-24T07:42:25Z 熱製程對鍺金屬絕緣層半導體元件上閘極介電質品質影響之研究 危爾捷; 崔秉鉞; 吳品鈞; Wei, Erh-Jye; Tsui, Bing-Yue; Wu, Pin-Jiun
國立交通大學 2018-01-24T07:39:09Z 4H型碳化矽溝槽式閘極金氧半場效功率電晶體之關鍵製程研究 曾元宏; 崔秉鉞; Tseng, Yuan-Hung; Tsui, Bing-Yue
國立交通大學 2018-01-24T07:39:06Z 鰭狀磊晶穿隧層穿隧電晶體之性能評估及n型磊晶穿隧層穿隧電晶體性能改善之研究 林柏劭; 崔秉鉞; Lin, Po-Shao; Tsui, Bing-Yue
國立交通大學 2018-01-24T07:39:06Z 氮化矽逆向梯形波導耦合器之設計、製作與量測 林劭恩; 崔秉鉞; 陳瓊華; Lin, Shao-En; Tsui, Bing-Yue; Chen, Chyong-Hua
國立交通大學 2018-01-24T07:39:06Z 晶粒結構對於平面與垂直閘極半導體-氧化矽-氮化矽-氧化矽-半導體記憶體寫入速度的影響 常瑋軒; 崔秉鉞; Chang, Wei-Hsuan; Tsui, Bing-Yue
國立交通大學 2018-01-24T07:38:48Z 以離子植入選擇性增加碳化矽氧化速率暨溝槽式接面位障蕭基二極體之研究 林忠佑; 崔秉鉞; Lin, Chung-Yu; Tsui, Bing-Yue
國立交通大學 2018-01-24T07:38:25Z 磊晶穿隧層穿隧電晶體之研究 王培宇; 崔秉鉞; Wang, Pei-Yu; Tsui, Bing-Yue

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