| 國立交通大學 |
2016-03-28T08:17:42Z |
三維堆疊複晶矽非揮發性記憶體元件技術與分析
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2016-03-28T08:17:34Z |
新穎穿隧電晶體及在其在超低功率生醫電子積體電路之應用 (III)
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2016-03-28T08:17:29Z |
國立交通大學貴重儀器使用中心服務計畫
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2016-03-28T00:04:27Z |
Band Engineering to Improve Average Subthreshold Swing by Suppressing Low Electric Field Band-to-Band Tunneling With Epitaxial Tunnel Layer Tunnel FET Structure
|
Wang, Pei-Yu; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2016-03-28T00:04:08Z |
Experimental Demonstration of p-Channel Germanium Epitaxial Tunnel Layer (ETL) Tunnel FET With High Tunneling Current and High ON/OFF Ratio
|
Wang, Pei-Yu; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2015-12-02T03:00:54Z |
Investigation of Radiation Hardness of HfO2 Resistive Random Access Memory
|
Tsui, Bing-Yue; Chang, Ko-Chin; Shew, Bor-Yuan; Lee, Heng-Yuan; Tsai, Ming-Jinn |
| 國立交通大學 |
2015-12-02T03:00:53Z |
First-principles Calculations on the Schottky Barrier Height of the NiGe/n-type Ge Contact with Dopant Segregation
|
Lin, Han-Chi; Lin, Chiung-Yuan; Shih, Che-Ju; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2015-12-02T03:00:50Z |
Evaluation of Ultra-low Specific Contact Resistance Extraction by Cross-Bridge Kelvin Resistor Structure and Transmission Line Method Structure
|
Tsui, Bing-Yue; Tseng, Hsuan-Tzu |
| 國立交通大學 |
2015-12-02T02:59:28Z |
Ultra-High Bit Density 3D NAND Flash-Featuring-Assisted Gate Operation
|
Hsiao, Yi-Hsuan; Lue, Hang-Ting; Chen, Wei-Chen; Tsui, Bing-Yue; Hsieh, Kuang-Yeu; Lu, Chih-Yuan |
| 國立交通大學 |
2015-12-02T02:59:17Z |
A Novel Approach Using Discrete Grain-Boundary Traps to Study the Variability of 3-D Vertical-Gate NAND Flash Memory Cells
|
Wang, Pei-Yu; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2015-12-02T02:59:12Z |
Impact of V-pass Interference on Charge-Trapping NAND Flash Memory Devices
|
Hsiao, Yi-Hsuan; Lue, Hang-Ting; Chen, Wei-Chen; Chang, Kuo-Pin; Tsui, Bing-Yue; Hsieh, Kuang-Yeu; Lu, Chih-Yuan |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:53Z |
碳化矽基板之氮化鋁金氧半電容器暨稀釋一氧化二氮之氧化機制之研究
|
吳宗翰; Wu, Tsung-Han; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:41Z |
極小晶粒與通道厚度於垂直閘極半導體-氧化矽-氮化矽-氧化矽-半導體記憶體元件特性之影響
|
梁佳琳; Liang, Chia-Lin; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:32Z |
N+-P鍺淺接面暨接觸電阻研究
|
周鴻儒; Chou, Hung-Ju; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:28Z |
碳化硼介面層於鉬/矽極紫光微影多層膜反射鏡中的熱與光學性質之研究
|
范博雅; Fan, Po-YA; 崔秉鉞; 許博淵; Tsui, Bing-Yue; Shew, Bor-Yuan |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:25Z |
矽基片B型抗諧振反射光波導滑輪操場環形共振陷頻濾波器之設計,製作和特性量測
|
尹新賀; Yin, Hsin-He; 崔秉鉞; 陳瓊華; Tsui, Bing-Yue; Chen, Chyong-Hua |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:02:18Z |
利用表面電漿子共振矽基片B型抗諧振反射光波導生物感測元件於登革熱病毒DNA之雜交與專一性之檢測
|
邱至弘; Chiu, Chih-Hung; 袁俊傑; 崔秉鉞; Yuan, Chiun-Jye; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:10Z |
利用表面電漿子共振矽基片B型抗諧振反射光波導生物感測元件於抗原抗體鍵結之檢測
|
王家駿; Wang, Chia-Chun; 袁俊傑; 崔秉鉞; Yuan, Chiun-Jye; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:56:58Z |
三維快閃記憶體技術及其特殊現象之研究
|
蕭逸璿; Hsiao, Yi-Hsuan; 崔秉鉞; 呂函庭; Tsui, Bing-Yue; Lue, Hang-Ting |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:55:31Z |
矽基片B型抗諧振反射光波導表面電漿共振感測器之設計,研製與特性量測
|
徐新峯; Hsu, Hsin-Feng; 黃遠東; 崔秉鉞; 陳瓊華; Huang, Yang-Tung; Tsui, Bing-Yue; Chen, Chyong-Hua |
| 國立交通大學 |
2015-07-21T08:29:35Z |
A study on NiGe-contacted Ge n(+)/p Ge shallow junction prepared by dopant segregation technique
|
Tsui, Bing-Yue; Shih, Jhe-Ju; Lin, Han-Chi; Lin, Chiung-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:16:20Z |
Structure of metal oxide semiconductor field effect transistor
|
Huang, Chih-Feng; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:16:11Z |
Fully-depleted SOI MOSFET device and process for fabricating the same
|
Tsui, Bing-Yue; Lin, Chia-Pin |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:13:47Z |
Enhanced tunnel field effect transistor
|
Wang Pei-Yu; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:51:22Z |
碳摻雜矽奈米線全包覆式閘極元件技術研究
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:49:51Z |
高性能多閘極奈米元件技術
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:49:45Z |
三維堆疊複晶矽非揮發性記憶體元件技術與分析
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:48:19Z |
碳摻雜矽奈米線全包覆式閘極元件技術研究
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:44:10Z |
極低蕭基位障與接觸電阻技術之研究(I)
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:42:49Z |
奈米碳管網絡薄膜電晶體與奈米碳管網絡導電膜之研究
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:48Z |
新穎穿隧電晶體及在其在超低功率生醫電子積體電路之應用( II )
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:13Z |
奈米碳管網絡薄膜電晶體與奈米碳管網絡導電膜之研究
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:03Z |
新穎穿隧電晶體及在其在超低功率生醫電子積體電路之應用(1/3)
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:31:03Z |
三維堆疊複晶矽非揮發性記憶體元件技術與分析
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:30:01Z |
奈米碳管薄膜電晶體研究
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:48Z |
高性能多閘極奈米元件技術
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:14Z |
碳摻雜矽奈米線全包覆式閘極元件技術研究
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:52Z |
高性能多閘極奈米元件技術
|
崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:02:15Z |
氮化鈦/氧化鋁鉿/氮化鈦金氧金電容之電性分析與電壓電容係數物理模型
|
黃勻珮; Huang, Yun-Pei; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:31Z |
碳化矽金氧半場效電晶體特性之研究暨深層暫態能譜分析系統改良
|
楊昕翰; Yang, Hsin-Han; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:30Z |
晶粒尺寸於垂直閘極半導體-氧化矽-氮化矽-氧 化矽-半導體記憶體元件特性變異之研究
|
盧立偉; Lu, Li-Wei; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:29Z |
利用鋁基介面層之高品質金屬-絕緣層-鍺電容器之研究
|
楊易瑾; Yang, Yi-Chin; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:44:49Z |
電漿處理對二氧化鉿/矽介面層抗輻射能力之影響
|
廖雪君; Liao, Syue-Jyun; 崔秉鉞; 許博淵; Tsui, Bing-Yue; Shew, Bor-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:43:41Z |
游離輻射對N型電晶體的隨機電報雜訊之影響研究
|
黃致弘; Huang, Zhi-Hong; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:38Z |
碳化矽金氧半場效電晶體通道遷移率劣化機制之研究
|
王國丞; Wang, Kuo-Cheng; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:37:58Z |
鎳鍺化物與N型鍺接面摻雜析離對於蕭基位障的影響:透過第一原理計算
|
林翰奇; Lin, Han-Chi; 崔秉鉞; 林炯源; Tsui, Bing-Yue; Lin, Chiung-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:37:58Z |
鎳鍺化物接觸之N+-P鍺淺接面及接觸電阻之研究
|
施哲儒; Shih,Che-Ju; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:37:19Z |
以深層暫態能譜分析碳化矽缺陷之研究暨溝槽式接面蕭基位障二極體之設計分析
|
連崇德; Lien, Chong-De; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:30:42Z |
逆向基體之高功率金氧半場效應電晶體
|
吳旻達; Wu Min-Da; 崔秉鉞; Tsui Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:23:43Z |
前處理對二氧化鉿閘極介電層特性的影響
|
金立峰; Chin, Li-Feng; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |