|
"tsui bing yue"的相关文件
显示项目 91-115 / 150 (共6页)
<< < 1 2 3 4 5 6 > >>
每页显示[10|25|50]项目
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:06Z |
利用低熱預算製程改善碳化矽電容介面能態密度
|
翁茂元; Marvin-Ueng; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:01Z |
萃取接觸阻抗係數方法之比較研究──CBKR結構與改良式TLM結構
|
曾炫滋; Tseng, Hsuan-Tzu; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:01Z |
精確且高效率之蕭基位障萃取程序
|
傅子瑜; Fu, Tz-Yu; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:55:01Z |
降低金屬與N型鍺接觸電阻之研究
|
高銘鴻; Kao, Ming-Hong; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:54:37Z |
游離輻射對具有不同厚度之鉿氧化物金氧半元件影響之研究
|
孫銘鴻; Sung, Ming-Hung; 崔秉鉞; 許博淵; Tsui, Bing-Yue; Shew, Bor-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:54:32Z |
游離輻射對電阻式記憶體的影響之研究
|
張克勤; Chang, Ko-Chin; 崔秉鉞; 許博淵; Tsui, Bing-Yue; Shew, Bor-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:46:07Z |
交絡奈米碳管網路薄膜電晶體特性之研究
|
陳定業; Chen, Ting-Yeh; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:45:53Z |
介面處理對鉿氧化物之抗極紫外光輻射損傷之影響研究
|
蘇婷婷; Su, Ting-Ting; 黃遠東; 崔秉鉞; 許博淵; Huang, Yang-Tung; Tsui, Bing-Yue; Shew, Bor-Yuan |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:47Z |
矽化鎳之熱穩定性與超淺接面應用的研究
|
謝志民; Hsieh, Chih-Ming; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:17Z |
極紫外光輻射對先進非揮發性記憶體的影響
|
顏志展; Yen, Chih-Chan; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:14Z |
碳離子佈植對鎳化矽熱穩定性與碳化矽形成影響之研究
|
羅子歆; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:07Z |
極紫外光輻射對於高介電常數介質之影響研究
|
李勃學; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:06Z |
以奈米壓印技術製作大面積次微米孔洞陣列
|
周智超; Chou, Chih-Chao; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:32:22Z |
奈米碳管接觸阻抗與電場效應研究
|
張志廉; Chang, Chih Lien; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:07Z |
氧化鋁/二氧化鉿交錯層應用於非揮發性記憶體特性研究
|
蔡依成; Tsai, Yi-Cheng; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:26:54Z |
非揮發性記憶體的儲存電荷的空間分佈對元件特性的影響
|
余昆武; Yu, Kun-Wu; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:26:54Z |
奈米碳管記憶體之電荷儲存效應研究
|
王俊凱; Wang, Chun-Kai; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:26:54Z |
修正蕭基位障非揮發性記憶體於薄膜電晶體基板之研究
|
賴瑞堯; Lai, Jui-Yao; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:23:18Z |
碳摻雜製程與高性能多晶矽奈米線薄膜電晶體之研究
|
李振銘; Lee, Chen-Ming; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:21:57Z |
具多閘極之修正蕭基位障電晶體及氮化鈦奈米晶粒記憶體之研究
|
盧季霈; Lu, Chi-Pei; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:48:41Z |
High-Performance Metal-Insulator-Metal Capacitors With HfTiO/Y(2)O(3) Stacked Dielectric
|
Tsui, Bing-Yue; Hsu, Hsiao-Hsuan; Cheng, Chun-Hu |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:48:17Z |
Bias-Dependent Source Injection Resistance of Modified Schottky Barrier MOSFET
|
Tsui, Bing-Yue; Lu, Chi-Pei; Liu, Hsiao-Han |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:40:57Z |
Nanoscale Multigate TiN Metal Nanocrystal Memory Using High-k Blocking Dielectric and High-Work-Function Gate Electrode Integrated on Silcon-on-Insulator Substrate
|
Lu, Chi-Pei; Luo, Cheng-Kei; Tsui, Bing-Yue; Lin, Cha-Hsin; Tzeng, Pei-Jer; Wang, Ching-Chiun; Tsai, Ming-Jinn |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:36:25Z |
Schottky barrier height modification of metal/4H-SiC contact using ultrathin TiO2 insertion method
|
Tsui, Bing-Yue; Cheng, Jung-Chien; Lee, Lurng-Shehng; Lee, Chwan-Ying; Tsai, Ming-Jinn |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:36:19Z |
Modeling the Impact of Random Grain Boundary Traps on the Electrical Behavior of Vertical Gate 3-D NAND Flash Memory Devices
|
Hsiao, Yi-Hsuan; Lue, Hang-Ting; Chen, Wei-Chen; Chang, Kuo-Pin; Shih, Yen-Hao; Tsui, Bing-Yue; Hsieh, Kuang-Yeu; Lu, Chih-Yuan |
显示项目 91-115 / 150 (共6页)
<< < 1 2 3 4 5 6 > >>
每页显示[10|25|50]项目
|
