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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:16:41Z Two-frequency C-V correction using five-element circuit model for high-k gate dielectric and ultrathin oxide Wu, WH; Tsui, BY; Huang, YP; Hsieh, FC; Chen, MC; Hou, YT; Jin, Y; Tao, HJ; Chen, SC; Liang, MS
國立交通大學 2014-12-08T15:16:21Z Study on the interface thermal stability of metal-oxide-semiconductor structures by inelastic electron tunneling spectroscopy Huang, CF; Tsui, BY; Tzeng, PJ; Lee, LS; Tsai, MJ
國立交通大學 2014-12-08T15:06:00Z A NOVEL PROCESS FOR HIGH-PERFORMANCE SCHOTTKY-BARRIER PMOS TSUI, BY; CHEN, MC
國立交通大學 2014-12-08T15:05:50Z A NOVEL PROCESS FOR HIGH-PERFORMANCE SCHOTTKY-BARRIER PMOS TSUI, BY; CHEN, MC
國立交通大學 2014-12-08T15:05:36Z FORMATION OF 0.1-MU-M N+ P JUNCTION BY AS+ IMPLANTATION THROUGH PT OR PTSI FILM TSUI, BY; CHEN, MC
國立交通大學 2014-12-08T15:05:36Z HIGH-TEMPERATURE STABILITY OF PLATINUM SILICIDE ASSOCIATED WITH FLUORINE IMPLANTATION TSAI, JY; TSUI, BY; CHEN, MC
國立交通大學 2014-12-08T15:05:30Z FORMATION AND CHARACTERIZATION OF A PTSI CONTACTED N+P SHALLOW JUNCTION TSUI, BY; CHEN, MC
國立交通大學 2014-12-08T15:05:24Z LOW-TEMPERATURE REACTION OF THIN-FILM PLATINUM (LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-300A) WITH (100) SILICON TSUI, BY; CHEN, MC
國立交通大學 2014-12-08T15:05:16Z FORMATION OF PTSI-CONTACTED P+N SHALLOW JUNCTIONS BY BF2+ IMPLANTATION AND LOW-TEMPERATURE FURNACE ANNEALING TSUI, BY; TSAI, JY; CHEN, MC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:48Z CONTACT RESISTIVITY OF SHALLOW JUNCTIONS FORMED BY IMPLANTATION THROUGH PT OR PTSI TSUI, BY; CHEN, MC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:40Z SERIES RESISTANCE OF SELF-ALIGNED SILICIDED SOURCE DRAIN STRUCTURE TSUI, BY; CHEN, MC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:40Z EFFECT OF FLUORINE INCORPORATION ON THE THERMAL-STABILITY OF PTSI/SI STRUCTURE TSUI, BY; TSAI, JY; WU, TS; CHEN, MC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:35Z DIELECTRIC DEGRADATION OF PT/SIO2/SI STRUCTURES DURING THERMAL ANNEALING TSUI, BY; CHEN, MC
國立交通大學 2014-12-08T15:03:50Z ROLE OF FLUORINE-ATOMS ON THE THERMAL-STABILITY OF THE SILICIDE SILICON STRUCTURE TSUI, BY; CHEN, MC

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