|
"tsutsui k"的相关文件
显示项目 1-5 / 5 (共1页)
1
每页显示[10|25|50]项目
| 國立交通大學 |
2019-04-02T05:58:59Z |
Improving electrical characteristics of W/HfO2/In0.53Ga0.47As gate stacks by altering deposition techniques
|
Zade, D.; Kakushima, K.; Kanda, T.; Lin, Y. C.; Ahmet, P.; Tsutsui, K.; Nishiyama, A.; Sugii, N.; Chang, E. Y.; Natori, K.; Hattori, T.; Iwai, H. |
| 國立交通大學 |
2018-08-21T05:56:32Z |
Annealing Effect on the Electrical Properties of La2O3/InGaAs MOS Capacitors
|
Kanda, T.; Zade, D.; Lin, Y. -C.; Kakushima, K.; Ahmet, P.; Tsutsui, K.; Nishiyama, A.; Sugii, N.; Chang, E. Y.; Natori, K.; Hattori, T.; Iwai, H. |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:49:32Z |
Electrical Characteristics of HfO2 and La2O3 Gate Dielectrics for In0.53Ga0.47As MOS Structure
|
Funamiz, K.; Lin, Y. C.; Kakushima, K.; Ahmet, P.; Tsutsui, K.; Sugii, N.; Chang, E. Y.; Hattori, T.; Iwai, H. |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:49:24Z |
Optimization of gate insulator material for GaN MIS-HEMT
|
Lin, Y. C.; Lin, T. W.; Wu, C. H.; Yao, J. N.; Hsu, H. T.; Shih, W. C.; Kakushima, K.; Tsutsui, K.; Iwai, H.; Chang, E. Y. |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:43:26Z |
Improving electrical characteristics of W/HfO(2)/In(0.53)Ga(0.47)As gate stacks by altering deposition techniques
|
Zade, D.; Kakushima, K.; Kanda, T.; Lin, Y. C.; Ahmet, P.; Tsutsui, K.; Nishiyama, A.; Sugii, N.; Chang, E. Y.; Natori, K.; Hattori, T.; Iwai, H. |
显示项目 1-5 / 5 (共1页)
1
每页显示[10|25|50]项目
|
