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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	2011-12	Study of 375 nm ultraviolet InGaN/AlGaN light-emitting diodes with heavily Si-doped GaN transition layer in growth mode, internal quantum efficiency, and device performance	Huang, SC; Shen, KC; Wuu, DS; Tu, PM; Kuo, HC; Tu, CC; Horng, RH

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