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國立臺灣科技大學 2015 Temperature-dependent electrical properties of the sputtering-made n-InGaN/p-GaN junction diode with a breakdown voltage above 20 V Tuan, T.T.A.;Kuo, D.-H.
國立臺灣科技大學 2015 Effects of Mg Doping on the Performance of InGaN Films Made by Reactive Sputtering Kuo, D.-H.;Li, C.-C.;Tuan, T.T.A.;Yen, W.-C.
國立臺灣科技大學 2015 Temperature dependence of electrical characteristics of n-InxGa1 - XN/p-Si hetero-junctions made totally by RF magnetron sputtering Tuan, T.T.A.;Kuo, D.-H.;Lin, K.;Li, G.-Z.
國立臺灣科技大學 2014 Effects of Mg Doping on the Performance of InGaN Films Made by Reactive Sputtering Kuo, D.-H.;Li, C.-C.;Tuan, T.T.A.;Yen, W.-C.
國立臺灣科技大學 2014 Schottky barrier characteristics of Pt contacts to all sputtering-made n-type GaN and MOS diodes Tuan, T.T.A.;Kuo, D.-H.;Li, C.-C.;Yen, W.-C.

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