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國立高雄師範大學 2008 Application of Schottky bulk-layer design on double-heterojunction pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/AlGaAs high electron mobility transistors (DH-HEMTs) Jung-Hui Tsai;Meng-Kai Hsu;Shao-Yen Chiu;Chung-Hsien Wu;Kum-Chieh Liang;Kang-Ping Liu;Tze-Shuan Huang;Wen-Shiung Lour; 蔡榮輝

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