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机构	日期	题名	作者
臺大學術典藏	2018-09-10T09:25:15Z	A novel micropreconcentrator employing a laminar flow patterned heater for micro gas chromatography	W. -C. Tian;T.H. Wu;C.J. Lu;W. R. Chen;H.J. Sheen; W. -C. Tian; T.H. Wu; C.J. Lu; W. R. Chen; H.J. Sheen; WEI-CHENG TIAN
臺大學術典藏	2018-09-10T08:47:00Z	Development of a novel micropreconcentrator for micro gas chromatography	WEI-CHENG TIAN; T.-Y. Wei; W. -R. Chen; C. -J. Lu; T. -H. Wu; H.-J. Sheen; W.-C. Tian
國立高雄第一科技大學	2012.12	On the motion of a reconstructed ancient Chinese wooden horse carriage	F.C.Chen;Y.F.Tzeng;W.R.Chen;H.S.Yan; 曾義豐
國立中山大學	2009	Improved reliability of Mo nanocrystal memory with ammonia plasma treatment	C.C. Lin;T.C. Chang;C.H. Tu;W.R. Chen;C.W. Hu;S.M. Sze;T.Y. Tseng;S.C. Chen;J.Y. Lin
國立中山大學	2009	Improvement of Charge-Storage Characteristics of Mo Nanocrystal Memory by Double-Layer Structure	C.C. Lin;T.C. Chang;C.H. Tu;W.R. Chen;L.W. Feng;S.M. Sze;T.Y. Tseng;S.C. Chen;J.Y. Lin
國立中山大學	2009	Formation and Nonvolatile Memory Application of Ge Nanocrystals by Using Internal Competition Reaction of Si1.33Ge0.67O2 and Si2.67Ge1.33N2 Layers	W.R. Chen;T.C. Chang;Y.T. Hsieh;C.Y. Chang
國立中山大學	2008	Nonvolatile memory characteristics influenced by the different crystallization of Ni–Si and Ni–N nanocrystals	W.R. Chen;T.C. Chang;J.L. Yeh;C.Y. Chang;S.C. Chen
國立中山大學	2007	Formation of germanium nanocrystals by rapid thermal oxidizing SiGeO layer for nonvolatile memory application	W.R. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;C.H. Tu;J.L. Yen;Y.T. Hsieh;R.Y. Cahng;C.Y. Chang
國立中山大學	2007	Nonvolatile memory characteristics of Nickel-Silicon-Nitride nanocrystal	W.R. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;J.L. Yen;C.H. Tu;C.Y. Chang
國立中山大學	2007	Formation of stacked Ni silicide nanocrystals for nonvolatile memory application	W.R. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;P.S. Lin;C.H. Tu;C.Y. Chang
國立中山大學	2007	Formation and nonvolatile memory effect of nickel-oxygen-silicon nanoparticles	W.R. Chen;T.C. Chang;J.L. Yeh;S.M. Sze;C.Y. Chang;U.S. Chen
國立中山大學	2007	Formation of Ge nanocrystals using Si10.33Ge0.67O2 and Si2.67Ge1.33N2 film for nonvolatile memory application	W.R. Chen;T.C. Chang;Y.T. Hsieh;S.M. Sze;C.Y. Chang
國立中山大學	2007	Formation of stacked nickel-silicide nanocrystals by using a co-mixed target for nonvolatile memory application	W.R. Chen;T.C. Chang;P.T. Liu;C.H. Tu;C.F. Weng;S.W. Tsao;C.Y. Chang
國立中山大學	2007	Formation of germanium nanocrystals embedded in a silicon-oxygen-nitride layer	C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;C.F. Weng;H.C. Liu;L.T. Chang;S.K. Lee;W.R. Chen;S.M. Sze;C.Y. Chang
國立臺灣大學	2006-01	Factors Affecting Wallastonite Carbonation under CO2 Supercritical Conditions	Clifford Y. Tai; W.-R. Chen; Shin-Min Shih
國立中山大學	2006	Improvement of electrical characteristics for fluorine-ion-implanted poly-Si TFTs using ELC	C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;C.Y. Yang;C.H. Liu;W.R. Chen;Y.C. Wu;C.Y. Chang
國立中山大學	2006	Formation of silicon germanium nitride layer with distributed charge storage elements	C.H. Tu;T.C. Chang;P.T. Liu;H.C. Liu;W.R. Chen;C.C. Tsai;L.T. Chang;C.Y. Chan
南台科技大學	2004	The buffer layer at ITO interface for enhanced efficiency of organic electroluminescent devices	康智傑; C. C. Kang; C. J. Huang; W. R. Chen; S. L. Wu
國立中山大學	2004	Equivalence of the one-rate model to the classical model on strictly nonblocking switching networks	W.R. Chen; F.K. Hwang; X. Zhu
南台科技大學	2003	Relation Between the Size of Silver Nano-particles and Absorption Spectra in Electrochemical Technique	謝煜弘; C. J. Huang; C. Y. Lee; T. H. Meen; W. R. Chen; Y. H. Hsieh
國立中山大學	1998	Growth of c-axis oriented aluminum nitride films on GaAs substrates by reactive rf magnetron sputtering	C.C. Cheng; Y.C. Chen; R.C. Horng; H.J. Wang; W.R. Chen; E.K. Lai
國立中山大學	1996	Morphology and Structure of Aluminum Nitride Thin Films on Glass Substrate	C.C. Cheng; Y.C. Chen; H.J. Wang; W.R. Chen
國立中山大學	1995	-Axis Oriented AlN Thin Films Grown by Reactive RF Magnetron Sputtering	C.C. Cheng;H.J. Wang;W.R. Chen;Y.C. Chen
國立中山大學	1995	Axis Oriented AlN Thin Films Grown by Reactive RF Magnetron Sputtering	C.C. Cheng;H.J. Wang; W.R. Chen; Y.C. Chen

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