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| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:12:48Z |
次微米元件中因熱載子入射引發之可靠度問題之物理、模擬與量測
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黃智睦; Huang, Zhi Mu; 汪大暉; Wang, Da Hui |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:09:31Z |
量子線中-維電子傳輸特性之研究
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陳宗文; Chen, Tzung-wen; 汪大暉; WANG, DA-HUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:09:26Z |
積體電路中電子遷移現象之分析
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蘇琮凱; SU, ZONG-KAI; 汪大暉; WANG, DA-HUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:19Z |
矽質金氧半電晶體熱電子效應之研究
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王冠堯; WANG,GUAN-YAO; 汪大暉; WANG,DA-HUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:18Z |
多重量子井場效電晶體之物理及傳輸特性研究
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曾建賢; ZENG,JIAN-XIAN; 汪大暉; WANG,DA-HUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:17Z |
分子束磊晶成長之砷化鎵金半場效電晶體低溫緩衝層及頻率相關電流超射效應之研究
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蔡富義; CAI,FU-YI; 李建平; 汪大暉; LI,JIAN-PING; WANG,DA-HUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:11Z |
Dx陷阱中心對高電子移動率電晶體元件與電路之暫態效應與可靠性研究
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吳昇治; WU,SHENG,ZHI; 汪大暉; WANG,DA-HUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:11Z |
GaAs/AlGaAs量子井電子傳輸的幾何效應
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陳益德; CHEN,YI-DE; 汪大暉; WANG,DA-HUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:08Z |
砷化鎵金半場效電晶體熱電子模型二維數值模擬與分析
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潘志新; PAN,ZHI-XIN; 汪大暉; WANG,DA-HUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:07Z |
高速元件和電路中雜散效應的數值分析
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洪俊雄; HONG,JUN-XIONG; 汪大暉; WANG,DA-HUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:07:00Z |
以砷化鎵為基底的量子井元件中熱電子傳導特性之研究
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謝正祥; XIE,ZHENG-XIANG; 汪大暉; WANG,DA-HUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:06:58Z |
DX中心對高電子移動率電晶體暫態行為影響之數值分析
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余楚樵; YU,CHU-QIAO; 汪大暉; WANG,DA-HUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:05:52Z |
砷化鎵金半場效電晶體中基座陷阱產生慢暫態之電路模擬模式
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張同吉; ZHANG, TONG-JI; 汪大暉; WANG, DA-HUI |
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