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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:16:23Z Development of a parallel Poisson's equation solver with adaptive mesh refinement and its application in field emission prediction Hsu, KH; Chen, PY; Hung, CT; Chen, LH; Wu, JS
國立交通大學 2014-12-08T15:05:48Z ORIGIN OF THE ENHANCEMENT OF NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE AT LOW-TEMPERATURES IN DOUBLE-BARRIER RESONANT TUNNELING STRUCTURES WU, JS; CHANG, CY; LEE, CP; WANG, YH; KAI, F
國立交通大學 2014-12-08T15:05:43Z PERIODIC FLUX INTERRUPTION AND SUSTAINED TWO-DIMENSIONAL GROWTH FOR MOLECULAR-BEAM EPITAXY LEE, CP; CHANG, KH; LIU, DG; WU, JS
國立交通大學 2014-12-08T15:05:34Z REPETITION OF NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE IN VERTICALLY INTEGRATED DOUBLE-BARRIER RESONANT TUNNELING STRUCTURES WU, JS; LEE, CP; CHANG, CY; CHANG, KH; LIU, DG; LIOU, DC
國立交通大學 2014-12-08T15:05:27Z INFLUENCE OF INDIUM DOPING ON ALGAAS LAYERS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY CHANG, KH; LEE, CP; WU, JS; LIU, DG; LIOU, DC
國立交通大學 2014-12-08T15:05:27Z BEHAVIOR OF THE 1ST LAYER GROWTH IN GAAS MOLECULAR-BEAM EPITAXY LIU, DG; LEE, CP; CHANG, KH; WU, JS; LIOU, DC
國立交通大學 2014-12-08T15:05:26Z DELTA-DOPED QUANTUM-WELL STRUCTURES GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY LIU, DG; LEE, CP; CHANG, KH; WU, JS; LIOU, DC
國立交通大學 2014-12-08T15:05:25Z RESONANT TUNNELING OF ELECTRONS FROM QUANTIZED LEVELS IN THE ACCUMULATION LAYER OF DOUBLE-BARRIER HETEROSTRUCTURES WU, JS; CHANG, CY; LEE, CP; CHANG, KH; LIU, DG; LIOU, DC
國立交通大學 2014-12-08T15:05:21Z IMPROVED ALGAAS/GAAS DOUBLE-BARRIER RESONANT TUNNELING STRUCTURES USING 2-DIMENSIONAL SOURCE ELECTRONS WU, JS; LEE, CP; CHANG, CY; CHANG, KH; LIU, DG; LIOU, DC
國立交通大學 2014-12-08T15:05:21Z BLENDS OF POLYCARBONATE AND POLYACETAL CHANG, FC; YANG, MY; WU, JS

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