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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-12T02:43:48Z	以磷化銦基材之量子井結構為半導體飽和吸收體實現1.3μm 被動式Q-開關雷射	廖羽嵐; Yu-Lan Liao; 陳永富; Yu-Fung Chen

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