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机构	日期	题名	作者
臺大學術典藏	2018-09-10T03:51:07Z	InGaP/InGaAs dual gate pseudomorphic high electron mobility transistors	W.-S. Lour; M.-K. Tsai; K.-C. Chen; Y.-W. Wu; S.-W. Tan; Y. J. Yang; YING-JAY YANG
義守大學	2004	InGaP/InGaAs dual-channel transistor	Chuang H.-M.; Uang C.-M.; Cheng S.-Y.; Chen C.-Y.; Lai P.-H.; Kao C.-I.; Tsai Y.-Y.; Hsu W.-H.; Liu W.-C.
國立成功大學	2005-12	InGaP/InGaAs metal-oxide-semiconductor pseudomorphic high-electron-mobility transistor with a liquid-phase-oxidized InGaP as gate dielectric	Lee, Kuan-Wei; Wang, Yeong-Her; Houng, Mau-Phon; Yang, Nan-Ying; Lin, Yu-Ju; Sze, Po-Wen
義守大學	2007	InGaP/InGaAs MOS-PHEMT with a liquid phase oxidized InGaP gate insulator	Hsien-Chang Lin;Kuan-Wei Lee;Chao-Hsien Tu;Po-Wen Sze;Yeong-Her Wang;
義守大學	2012-02	InGaP/InGaAs MOS-PHEMT with a nanoscale liquid phase-oxidized InGaP dielectric	Hsien-Cheng Lin;Fang-Ming Lee;Yu-Chun Cheng;Kuan-Wei Lee;Feri Adriyanto;Yeong-Her Wang
國立成功大學	2012-02	InGaP/InGaAs MOS-PHEMT with a nanoscale liquid phase-oxidized InGaP dielectric	Lin, Hsien-Cheng; Lee, Fang-Ming; Cheng, Yu-Chun; Lee, Kuan-Wei; Adriyanto, Feri; Wang, Yeong-Her
國立交通大學	2014-12-08T15:38:58Z	InGaP/InGaAs PHEMT with high IP3 for low noise applications	Lin, YC; Chang, EY; Chen, GJ; Lee, HM; Huang, GW; Biswas, D; Chang, CY
國立臺灣海洋大學	2006-12	InGaP/InGaAs Pseudomorphic Heterodoped-Channel FETs With a Field Plate and a Reduced Gate Length by Splitting Gate Metal	H. R. Chen;M. K. Hsu;S. Y. Chiu;W. T. Chen;G. H. Chen;Y. C. Chang;W. S. Lour
國立成功大學	2003	InGaP/InGaAs/GaAs double channel pseudomorphic high electron mobility transistor	Chuang, Hung-Ming; Yu, Kuo-Hui; Lin, Kun-Wei; Cheng, Chin-Chuan; Chen, Jing-Yuh; Liu, Wen-Chau
國立高雄師範大學	2002	InGaP/InGaAs/GaAs single d-doped pseudomorphic high electron mobility transistor with high barrier camel gate	Jung-Hui Tsai;Ming-Jui Lin;King-Poul Ge; 蔡榮輝

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