| 國立成功大學 |
2006-06 |
HfAlON n-MOSFETs incorporating low-work function gate using ytterbium silicide
|
Wu, C. H.; Hung, B. F.; Chin, Albert; Wang, Shui-Jinn; Yen, F. Y.; Hou, Y. T.; Jin, Y.; Tao, H. J.; Chen, S. C.; Liang, M. S. |
| 高雄醫學大學 |
2005 |
HFBA為衍生劑配合氣相層析質譜儀同步定性定量尿液中安非他命類愷他命之代謝物
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李慧華; Lee, Hei-Hwa |
| 國立臺中教育大學 |
2015-09-14 |
HFCS光電子光譜的理論研究
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郭文信; KUO, WEN-HSIN |
| 國立臺灣科技大學 |
2001 |
HFC網路上實現VoIP服務之排程演算法之研究
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曾富昌 |
| 國立臺灣科技大學 |
2002 |
HFC網路即時服務品質保證的排程演算法分析
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黃宗甫 |
| 國立臺灣科技大學 |
2003 |
HFC網路提供VoIP服務之排程研究
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黎碧煌;陳志明 |
| 國立臺灣科技大學 |
2004 |
HFC網路故障回復之研究
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陳志瑋 |
| 國立臺灣科技大學 |
2002 |
HFC網路語音服務品質保證的排程演算法研究
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何信呈 |
| 國立交通大學 |
2018-01-24T07:41:35Z |
HFE-7000於微流道熱沉之流動沸騰熱傳增強研究
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陳致同; 王啟川; Chen, Jhih Tong |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:15:34Z |
HFE-7100介電液冷煤在微通道散熱器之兩相沸騰研究
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洪國元; Guo-Yuan Hong; 楊文美; Wen-Mei Yang |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:37Z |
HFE-7100微通道熱沉應用於高性能散熱模組研究
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王啟川; WANG CHI-CHUAN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:39Z |
HFE-7100微通道熱沉應用於高性能散熱模組研究
|
王啟川; WANG CHI-CHUAN |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:43:13Z |
HFE-7100微通道熱沉應用於高性能散熱模組研究
|
王啟川; WANG CHI-CHUAN |
| 國立成功大學 |
1992 |
HfN 及(Ti, Hf)N 濺鍍鍍層之研製及其特性之評估
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黃啟祥計畫主持 |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:33:28Z |
HFO-1234yf 熱力循環系統模擬軟體開發 (I)
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王啟川; WANG CHI-CHUAN |
| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:49:39Z |
HfO2 Inter-Poly Dielectric Characteristics with Interface Fluorine Passivation
|
Chen, Yung-Yu; Hsieh, Chih-Ren; Lu, Kwung-Wen; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:37:15Z |
HfO2 MIS capacitor with copper gate electrode
|
Perng, TH; Chien, CH; Chen, CW; Yang, MJ; Lehnen, P; Chang, CY; Huang, TY |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:29:54Z |
HfO2 nanocrystal memory on SiGe channel
|
Lin, Yu-Hsien; Chien, Chao-Hsin |
| 國立交通大學 |
2016-03-28T00:05:44Z |
HfO2 Trap Layer Nonvolatile Flash Memory on SiGe Channel
|
Lin, Yu-Hsein; Li, Jyun-Han; You, Hsin-Chiang; Hong, Jin-Shi; Tsai, Wan-Ting; Chen, Hung-Wei |
| 國立成功大學 |
2017-02-09 |
HfO2-x薄膜之結構與光學性質暨其應用於高溫HfO2-x/W/HfO2-x/W多層太陽能選擇性吸收膜之研究
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薛春木; Hsueh, Chun-Mu |
| 國立成功大學 |
2016-07-18 |
HfO2-x薄膜之結構與光學性質暨其應用於高溫HfO2-x/W/HfO2-x/W多層太陽能選擇性吸收膜之研究
|
薛春木; Hsueh, Chun-Mu |
| 國立交通大學 |
2019-09-02T07:45:39Z |
HfO2/AIN/ln(0.53)Ga(0.47)As MOS Devices Electrical Properties and Reliability Studies
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Yi-Chang, Edward; Quang-Ho Luc; Huy-Binh Do; Chang, Po-Chun; Lin, Yueh-Chin |
| 國立臺灣大學 |
2007 |
HfO2/HfAlO/HfO2 nanolaminate charge trapping layers for high-performance nonvolatile memory device applications
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Maikap, S.; Tzeng, P. J.; Wang, T. Y.; Lee, H. Y.; Lin, C. H.; Wang,? C. C.; Lee, L. S.; Yang, J. R.; Tsai, M. J. |
| 南台科技大學 |
2003 |
HfO2/HfSixOy high-k gate stack with very low leakage current for low-power poly-si gated CMOS application
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C. W. Yang; Y. K. Fang; S. F. Chen; M. F. Wang; T.H.Hou; Y.M.Lin; L.G.Yao; S. C. Chen; M. S. Liang;陳世芳 |
| 國立成功大學 |
2003-04-17 |
HfO2/HfSixOy high-K gate stack with very low leakage current for low-power poly-Si gated CMOS application
|
Yang, Chih-Wei; Fang, Yean-Kuen; Chen, S. F.; Wang, M. F.; Hou, T. H.; Lin, Y. M.; Yao, Liang-Gi; Chen, S. C.; Liang, M. S. |
