English  |  正體中文  |  简体中文  |  總筆數 :2856708  
造訪人次 :  53586367    線上人數 :  815
教育部委託研究計畫      計畫執行:國立臺灣大學圖書館
 
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
關於TAIR

瀏覽

消息

著作權

相關連結

"李清庭"的相關文件

回到依作者瀏覽
依題名排序 依日期排序

顯示項目 51-60 / 199 (共20頁)
<< < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目

機構 日期 題名 作者
元智大學 Jan-19 Aluminum-nanosphere-stacked MgNiO metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 李清庭; Lee, Hsin-Ying; Lin, Chi-Wen
元智大學 Jan-19 Stacked Triple Ultraviolet-Band Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors 李清庭; Liu, Yu-Hsuan; Lee, Hsin-Ying
元智大學 Jan-19 Crystal structure control of Au-free InAs and InAs/GaSb heterostucture nanowires grown on Si (111) by metal-organic chemical vapor deposition 李清庭; Kakkerla, Ramesh Kumar; Anandan, Deepak; Singh, Sankalp Kumar; Yu, Hung Wei; Dee, Chang-Fu; Majlis, Burhanuddin Yeop; Chang, Edward Yi
元智大學 Jan-19 High sensitivity detection of nitrogen oxide gas at room temperature using zinc oxide-reduced graphene oxide sensing membrane 李清庭; Lee, Hsin-Ying; Heish, Yung-Ching
元智大學 Feb-23 Effects of AlN/GaN superlattice buffer layer on performances of AlGaN/GaN HEMT grown on silicon for sub-6 GHz applications 李清庭; L. T. Hieu; H. T. Hsu; C. H. Chiang; D. Panda; C. H. Lin; E. Y. Chang
元智大學 Feb-23 Effects of AlN/GaN superlattice buffer layer on performances of AlGaN/GaN HEMT grown on silicon for sub-6 GHz applications 李清庭; L. T. Hieu; H. T. Hsu; C. H. Chiang; D. Panda; C. H. Lin; E. Y. Chang
元智大學 Feb-23 Improved Off-State Leakage Current and Cutoff Frequency for AlGaN/GaN HEMT by Using Silicon-on-Insulator 李清庭; L. T. Hieu; H. T. Hsu; D. Panda; C. H. Lin; E. Y. Chang
元智大學 Feb-23 Improved Off-State Leakage Current and Cutoff Frequency for AlGaN/GaN HEMT by Using Silicon-on-Insulator 李清庭; L. T. Hieu; H. T. Hsu; D. Panda; C. H. Lin; E. Y. Chang
元智大學 Feb-23 Effects of AlN/GaN superlattice buffer layer on performances of AlGaN/GaN HEMT grown on silicon for sub-6 GHz applications 李清庭; L. T. Hieu; H. T. Hsu; C. H. Chiang; D. Panda; C. H. Lin; E. Y. Chang
元智大學 Feb-22 Fabrication and characterization of AlGaN/GaN enhancement-mode MOSHEMTs with fin-channel array and hybrid gate-recessed structure and LiNbO3 ferroelectric charge trap gate stack structure 李清庭; H. Y. Lee; C. H. Lin

顯示項目 51-60 / 199 (共20頁)
<< < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目