| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:16:27Z |
COMPREHENSIVE STUDY OF LOW-TEMPERATURE SILICON DIOXIDE FABRICATED BY ELECTRON-CYCLOTRON-RESONANCE（ECR） PLASMA OXIDATION WITH AND WITHOUT ECR PLASMA PRETREATMENT
|
范富傑; Fan, Fu-Jie; 張國明; 羅正忠; Zhang, Guo-Ming; Luo, Zheng-Zhong |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:37Z |
鈀及鉑攙雜矽接面的深層能階分析
|
邱明杰; Chiou, Ming-Jye; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:13:49Z |
金摻雜高速切換PN接面二極體元件
|
廖貴村; Kuei-Tsun Liao; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:10:42Z |
選擇性成長矽磊晶層的結構分析
|
蔡忠政; Chung-Cheng Tsai; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:10:41Z |
以氮離子佈植技術進行選擇性成長矽磊晶層
|
董建良; Chien-Liang Tung; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:10:40Z |
多孔性矽的形成研究
|
蘇錦成; Kam-Shing So; 羅正忠;眭曉林; Jen-Chung Lou; Shau-Lin Shue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:09:29Z |
電子可抹除記憶體模擬模型
|
羅正銘; LUO, ZHENG-MING; 羅正忠; LUO, ZHENG-ZHONG |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:03:06Z |
以氮離子佈植技術進行選擇性成長矽磊晶層
|
董建良; 羅正忠 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:27Z |
氟應用於二氧化鉿儲存層非揮發性記憶體之研究
|
林文新; Lin, Wen-Shin; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:17Z |
以低溫微波活化鍺薄膜摻雜之研究
|
莊尚勳; Chuang, Shang-Shiun; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:36:14Z |
整合型溝渠式功率接面場效電晶體與蕭特基阻障二極體
|
劉莒光; Liu, Chu-Kuang; 羅正忠; 龔正; Lou, J. C.; Gong, J. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:34:10Z |
應用於IEEE 802.11a/b/g無線區域網路中雙頻帶射頻接收器模組電路之設計與實現
|
陳國章; Guo-Jhang Chen; 溫瓌岸; 羅正忠; Kuei-Ann Wen; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:33:10Z |
元件圖案相依的金屬誘化側向結晶之複晶矽薄膜電晶體的製作與特性研究
|
吳元均; Yuan-Chun Wu; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:31:08Z |
高介電常數材料氧化鋁在矽基板上之介面特性研究
|
謝文斌; Wen-Bin Shie; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:28Z |
氟鈍化製程與氮氧化層於高介電常數金氧半場效應電晶體與快閃記憶體的特性研究
|
謝智仁; Hsieh, Chih-Ren; 林國瑞; 羅正忠; Lin, Gray; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:12Z |
氟化緩衝層應用於接觸孔蝕刻停止層局部形變矽金氧半場效電晶體鈍化層之特性與研究
|
李翊裳; Li, Yi-Shang; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:06Z |
氟化製程應用於金氧半場效電晶體鈍化層之特性與研究
|
莊哲輔; Chuang, Che-Fu; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:02Z |
臨場濕式氧化方法在金屬鎢奈米點非揮發性記憶體之製作與研究
|
謝介銘; Hsieh, Chieh-Ming; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:21:12Z |
高含氮量氧化層於氮化矽快閃記憶體元件製作與特性研究
|
黃信富; 羅正忠 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:21:11Z |
氟鈍化效應在高介電常數複晶矽層間介電層特性及可靠度研究
|
陸冠文; Lu, Kuan-Wen; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:51Z |
高含氮氧化層介面層於二氧化鉿閘極介電層之金氧半場效電晶體特性研究
|
簡嘉宏; 羅正忠 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:50Z |
含氮氧化層應用於二氧化鉿儲存層快閃記憶體資料儲存時間之改善
|
鄭元愷; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:50Z |
含氮穿隧氧化層再氧化行為於氮化矽快閃式記憶體之特性與研究
|
洪晨修; Chen-Hsiu Hung; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:44Z |
超薄含氮氧化層創新製程技術應用在p型金氧半場效電晶體之特性研究
|
葉佳樺; Chia-Hua Yeh; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:20Z |
溝渠式橫向金氧半場效電晶體分析與最佳化設計之研究
|
林宏春; Hung-Chun Lin; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:13:15Z |
氟掺雜濃度對於二氧化鉿堆疊式閘極P型金氧半場效電晶體其可靠性的影響
|
謝岳展; Hsieh, Y.C.; 羅正忠; 邱碧秀; Lou, Jen-Chung; Chiou, Bi-Shiou |
| 大葉大學 |
2014-06-07 |
阻尼對於放大式壓電能量汲取器之影響評估
|
林文主;羅正忠 |
| 大葉大學 |
2013-11-30 |
壓電懸臂樑附加末端質量的振動能汲取系統之分析與探究
|
李沛頡;羅正忠 |
| 大葉大學 |
2012-12 |
MFC薄板翼翅的顫振模態控制
|
周逸翔;羅正忠 |
| 大葉大學 |
2012-06-16 |
MFC薄板翼翅的顫振模態控制
|
周逸翔;羅正忠 |
| 大葉大學 |
2011-09-13 |
牙科用鑄造鈦鈮鐵合金之研削性及切削性研究
|
許冠煌, 何文福; 羅正忠 |
| 大葉大學 |
2010-12 |
MFC智慧型貼片與SSD技術應用於蜂巢三明治平板的聲振控制
|
羅正忠;任亦凱 |
| 大葉大學 |
2009 |
MFC三明治蜂巢平板的噪音與振動控制
|
羅正忠;李侑諭;陳柏碩 |
| 大葉大學 |
2008 |
MFC蜂巢三明治平板的多模態振動抑制與噪音消減
|
羅正忠;吳鎧麟;謝國賓 |
| 大葉大學 |
2007 |
PZT蜂巢三明治平板的主動式多模態振動與輻射噪音控制
|
羅正忠 |
| 大葉大學 |
2006-12-15 |
MFC致動器控制蜂巢三明治複材平板的振動與輻射噪音
|
羅正忠;周宏一;孫士璋 |
| 大葉大學 |
2006-10 |
小型風機效率和轉子負載分析
|
羅正忠;張剛耀 |
| 大葉大學 |
2006 |
壓電振動平板的能量收集與轉換
|
羅正忠;王泰然 |
| 大葉大學 |
2005-12 |
壓電能量汲取系統的實驗評估
|
羅正忠;陳勁豪 |
| 大葉大學 |
2005-12 |
MCF壓電致動器控制翼翅顫振模態
|
羅正忠;林振民;張剛耀 |
| 大葉大學 |
2005-12 |
自行車把手管件使用MFC壓電致動器作為分流器的主被動混合控制
|
羅正忠;魏騰佑 |
| 大葉大學 |
2004-12 |
壓電噴射氣流器設計參數效能評估
|
羅正忠;楊育彰 |
| 大葉大學 |
2004-12 |
自行車MFC壓電把手管件的主動式振動控制
|
羅正忠;簡勤哲 |
| 大葉大學 |
2004-11 |
自行車把手管件使用MFC壓電致動器作為主動式振動控制元件
|
羅正忠;魏騰佑 |
| 大葉大學 |
2004-11 |
壓電式噴墨頭之結構分析與效能評估
|
羅正忠;楊博凱 |
| 大葉大學 |
2003-12 |
壓電噴射氣流器設計參數的實驗評估
|
羅正忠;陳華斌 |
| 大葉大學 |
2002-12 |
合成噴射氣流器的有限元素分析和效能實驗評估
|
吳坤城;羅正忠 |
| 國立高雄應用科技大學 |
1999-12 |
租稅漏損與財政危機
|
羅正忠;管國珍 |
| 國立高雄應用科技大學 |
1998-12 |
我國地方財政問題與解決之道
|
羅正忠 |
| 國立政治大學 |
1986 |
我國現行公立高級中學與高等教育規模經濟之實證研究
|
羅正忠 |
