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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-12T02:28:06Z 快速升溫氧化成長超薄氧化層研究 劉正淇; Liu Chen Chi; 羅正忠; Lou, Jen-Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:28:05Z 以臭氧水製程改善薄閘極氧化層特性之研究 陳心誼; Hsin-Yi Chen; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:26:39Z 前瞻非揮發性奈米晶體記憶體元件之製作與特性研究 楊富明; 羅正忠; 張鼎張
國立交通大學 2014-12-12T02:26:33Z 高介電係數閘極介電層在金氧半電晶體中之電特性及其可靠度研究 陳世璋; Chen, Shih-Chang; 羅正忠; 簡昭欣; Jen-Chung Lou; Chao-Hsin Chien
國立交通大學 2014-12-12T02:26:14Z 提升式通道結構及鍺引致再結晶複晶矽薄膜電晶體之研製 施俊宏; Chun-Hung Shih; 葉清發; 羅正忠; Ching-Fa Yeh; Jen-Chung. Lo
國立交通大學 2014-12-12T02:25:45Z 1.25億位元/每秒資料回路電路設計與實現 蔡明衡; Ming-Heng Tsai; 羅正忠
國立交通大學 2014-12-12T02:25:37Z 以電漿增強化學氣相沈積摻氟二氧化矽薄膜之研究 張朝銓; Chao-Chuan Chang; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:25:37Z 以臭氧水消除光阻之製程研究 廖彥瑋; Jen-Sen Liao; 羅正忠
國立交通大學 2014-12-12T02:25:37Z 在臭氧水中成長二氧化矽薄膜層之研究 邱盈龍; Ying-Long Chiu; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:24:21Z 創新的腐蝕抑制劑於化學機械研磨之清洗對銅導線電性之研究 吳柏慶; 羅正忠; 蔡明蒔
國立交通大學 2014-12-12T02:24:19Z 奈米金屬鎳/鎳矽化物晶粒之非揮發性記憶體製程與研究 許雁雅; Yen-Ya Hsu; 羅正忠; 張鼎張; Dr. Jen-Chung Lou; Dr. Ting-Chang Chang
國立交通大學 2014-12-12T02:24:11Z 高介電常數材料氧化鋁之特性研究 陳彥廷; 羅正忠
國立交通大學 2014-12-12T02:24:01Z 次世代快閃記憶體之氨氣氮化底多晶矽上多晶矽層間高介電常數介電質特性 李宗翰; Tsung-Han Li; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:24:00Z 沉基氧化鋁絕緣層之前的不同表面處理之研究 陳昶維; Chang-Wei Chen; 葉清發; 羅正忠; Ching-Fa Yeh; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:23:17Z 電漿處理後摻雜氟之二氧化矽的特性研究 張清河; Ching-Ho Chang; 羅正忠; Dr.Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:23:16Z 氧氣及氮氣電漿處理後之薄氧化層成長研究 周文彬; Wen-Pin Chou; 羅正忠; Dr. Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:23:15Z 通用序列匯流排理論與應用方面之研究 曹旭明; Shiuh-Ming Tsao; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:23:11Z 將快閃記憶體作為主記憶體的記憶體階層設計 張賢仁; Hsien-Jen Chang; 羅正忠; Dr. Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:20:50Z 應用於極大型積體電路金屬導線間之低介電常數材料的研究 杜賢明; Hsien Ming Tu; 羅正忠; 孫喜眾; Jen-Chung Lou; Shi-Chung Sun
國立交通大學 2014-12-12T02:20:45Z 高壓互補式金氧半場效電晶體的製作與模擬 陸湘台; Shieng-Tai Louh; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:20:45Z 微影製程中多層光阻的模擬與研究 閻聖春; Sheng-Chun Yen; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:17:33Z 矽在氫氧化鉀溶液的電化學蝕刻和保護層的研究 沈怡廷; Shen, Ying-Ting; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:17:31Z 閘極氧化層在電漿蝕刻中的損害研究 江政隆; Jiang, Jane-Long; 羅正忠; Lou Jen-Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:17:23Z 場效激發元件驅動器的設計 魯得中; Luu, Der-Chung; 羅正忠; Lou Jen-Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:16:29Z 鈀及鉑攙雜矽接面的深層能階分析 邱明杰; Qiu, Ming-Jie; 羅正忠; Luo, Zheng-Zhong
國立交通大學 2014-12-12T02:16:27Z COMPREHENSIVE STUDY OF LOW-TEMPERATURE SILICON DIOXIDE FABRICATED BY ELECTRON-CYCLOTRON-RESONANCE(ECR) PLASMA OXIDATION WITH AND WITHOUT ECR PLASMA PRETREATMENT 范富傑; Fan, Fu-Jie; 張國明; 羅正忠; Zhang, Guo-Ming; Luo, Zheng-Zhong
國立交通大學 2014-12-12T02:15:37Z 鈀及鉑攙雜矽接面的深層能階分析 邱明杰; Chiou, Ming-Jye; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:13:49Z 金摻雜高速切換PN接面二極體元件 廖貴村; Kuei-Tsun Liao; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:10:42Z 選擇性成長矽磊晶層的結構分析 蔡忠政; Chung-Cheng Tsai; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:10:41Z 以氮離子佈植技術進行選擇性成長矽磊晶層 董建良; Chien-Liang Tung; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T02:10:40Z 多孔性矽的形成研究 蘇錦成; Kam-Shing So; 羅正忠;眭曉林; Jen-Chung Lou; Shau-Lin Shue
國立交通大學 2014-12-12T02:09:29Z 電子可抹除記憶體模擬模型 羅正銘; LUO, ZHENG-MING; 羅正忠; LUO, ZHENG-ZHONG
國立交通大學 2014-12-12T02:03:06Z 以氮離子佈植技術進行選擇性成長矽磊晶層 董建良; 羅正忠
國立交通大學 2014-12-12T01:37:27Z 氟應用於二氧化鉿儲存層非揮發性記憶體之研究 林文新; Lin, Wen-Shin; 羅正忠; Lou, Jen-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:37:17Z 以低溫微波活化鍺薄膜摻雜之研究 莊尚勳; Chuang, Shang-Shiun; 羅正忠; Lou, Jen-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:36:14Z 整合型溝渠式功率接面場效電晶體與蕭特基阻障二極體 劉莒光; Liu, Chu-Kuang; 羅正忠; 龔正; Lou, J. C.; Gong, J.
國立交通大學 2014-12-12T01:34:10Z 應用於IEEE 802.11a/b/g無線區域網路中雙頻帶射頻接收器模組電路之設計與實現 陳國章; Guo-Jhang Chen; 溫瓌岸; 羅正忠; Kuei-Ann Wen; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T01:33:10Z 元件圖案相依的金屬誘化側向結晶之複晶矽薄膜電晶體的製作與特性研究 吳元均; Yuan-Chun Wu; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T01:31:08Z 高介電常數材料氧化鋁在矽基板上之介面特性研究 謝文斌; Wen-Bin Shie; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T01:27:28Z 氟鈍化製程與氮氧化層於高介電常數金氧半場效應電晶體與快閃記憶體的特性研究 謝智仁; Hsieh, Chih-Ren; 林國瑞; 羅正忠; Lin, Gray; Lou, Jen-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:27:12Z 氟化緩衝層應用於接觸孔蝕刻停止層局部形變矽金氧半場效電晶體鈍化層之特性與研究 李翊裳; Li, Yi-Shang; 羅正忠; Lou, Jen-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:27:06Z 氟化製程應用於金氧半場效電晶體鈍化層之特性與研究 莊哲輔; Chuang, Che-Fu; 羅正忠; Lou, Jen-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:27:02Z 臨場濕式氧化方法在金屬鎢奈米點非揮發性記憶體之製作與研究 謝介銘; Hsieh, Chieh-Ming; 羅正忠; Lou, Jen-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:21:12Z 高含氮量氧化層於氮化矽快閃記憶體元件製作與特性研究 黃信富; 羅正忠
國立交通大學 2014-12-12T01:21:11Z 氟鈍化效應在高介電常數複晶矽層間介電層特性及可靠度研究 陸冠文; Lu, Kuan-Wen; 羅正忠; Lou, Jen-Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:13:51Z 高含氮氧化層介面層於二氧化鉿閘極介電層之金氧半場效電晶體特性研究 簡嘉宏; 羅正忠
國立交通大學 2014-12-12T01:13:50Z 含氮氧化層應用於二氧化鉿儲存層快閃記憶體資料儲存時間之改善 鄭元愷; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T01:13:50Z 含氮穿隧氧化層再氧化行為於氮化矽快閃式記憶體之特性與研究 洪晨修; Chen-Hsiu Hung; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T01:13:44Z 超薄含氮氧化層創新製程技術應用在p型金氧半場效電晶體之特性研究 葉佳樺; Chia-Hua Yeh; 羅正忠; Jen-Chung Lou
國立交通大學 2014-12-12T01:13:20Z 溝渠式橫向金氧半場效電晶體分析與最佳化設計之研究 林宏春; Hung-Chun Lin; 羅正忠; Jen-Chung Lou

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