| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:20:45Z |
微影製程中多層光阻的模擬與研究
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閻聖春; Sheng-Chun Yen; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:33Z |
矽在氫氧化鉀溶液的電化學蝕刻和保護層的研究
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沈怡廷; Shen, Ying-Ting; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:31Z |
閘極氧化層在電漿蝕刻中的損害研究
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江政隆; Jiang, Jane-Long; 羅正忠; Lou Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:23Z |
場效激發元件驅動器的設計
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魯得中; Luu, Der-Chung; 羅正忠; Lou Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:16:29Z |
鈀及鉑攙雜矽接面的深層能階分析
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邱明杰; Qiu, Ming-Jie; 羅正忠; Luo, Zheng-Zhong |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:16:27Z |
COMPREHENSIVE STUDY OF LOW-TEMPERATURE SILICON DIOXIDE FABRICATED BY ELECTRON-CYCLOTRON-RESONANCE（ECR） PLASMA OXIDATION WITH AND WITHOUT ECR PLASMA PRETREATMENT
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范富傑; Fan, Fu-Jie; 張國明; 羅正忠; Zhang, Guo-Ming; Luo, Zheng-Zhong |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:15:37Z |
鈀及鉑攙雜矽接面的深層能階分析
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邱明杰; Chiou, Ming-Jye; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:13:49Z |
金摻雜高速切換PN接面二極體元件
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廖貴村; Kuei-Tsun Liao; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:10:42Z |
選擇性成長矽磊晶層的結構分析
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蔡忠政; Chung-Cheng Tsai; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:10:41Z |
以氮離子佈植技術進行選擇性成長矽磊晶層
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董建良; Chien-Liang Tung; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:10:40Z |
多孔性矽的形成研究
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蘇錦成; Kam-Shing So; 羅正忠;眭曉林; Jen-Chung Lou; Shau-Lin Shue |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:09:29Z |
電子可抹除記憶體模擬模型
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羅正銘; LUO, ZHENG-MING; 羅正忠; LUO, ZHENG-ZHONG |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:03:06Z |
以氮離子佈植技術進行選擇性成長矽磊晶層
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董建良; 羅正忠 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:27Z |
氟應用於二氧化鉿儲存層非揮發性記憶體之研究
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林文新; Lin, Wen-Shin; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:37:17Z |
以低溫微波活化鍺薄膜摻雜之研究
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莊尚勳; Chuang, Shang-Shiun; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:36:14Z |
整合型溝渠式功率接面場效電晶體與蕭特基阻障二極體
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劉莒光; Liu, Chu-Kuang; 羅正忠; 龔正; Lou, J. C.; Gong, J. |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:34:10Z |
應用於IEEE 802.11a/b/g無線區域網路中雙頻帶射頻接收器模組電路之設計與實現
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陳國章; Guo-Jhang Chen; 溫瓌岸; 羅正忠; Kuei-Ann Wen; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:33:10Z |
元件圖案相依的金屬誘化側向結晶之複晶矽薄膜電晶體的製作與特性研究
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吳元均; Yuan-Chun Wu; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:31:08Z |
高介電常數材料氧化鋁在矽基板上之介面特性研究
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謝文斌; Wen-Bin Shie; 羅正忠; Jen-Chung Lou |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:28Z |
氟鈍化製程與氮氧化層於高介電常數金氧半場效應電晶體與快閃記憶體的特性研究
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謝智仁; Hsieh, Chih-Ren; 林國瑞; 羅正忠; Lin, Gray; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:12Z |
氟化緩衝層應用於接觸孔蝕刻停止層局部形變矽金氧半場效電晶體鈍化層之特性與研究
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李翊裳; Li, Yi-Shang; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:06Z |
氟化製程應用於金氧半場效電晶體鈍化層之特性與研究
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莊哲輔; Chuang, Che-Fu; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:27:02Z |
臨場濕式氧化方法在金屬鎢奈米點非揮發性記憶體之製作與研究
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謝介銘; Hsieh, Chieh-Ming; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:21:12Z |
高含氮量氧化層於氮化矽快閃記憶體元件製作與特性研究
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黃信富; 羅正忠 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:21:11Z |
氟鈍化效應在高介電常數複晶矽層間介電層特性及可靠度研究
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陸冠文; Lu, Kuan-Wen; 羅正忠; Lou, Jen-Chung |
