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机构	日期	题名	作者
臺大學術典藏	2020-08-23T15:39:10Z	Analysis of GeOI FinFET 6T SRAM cells with variation-tolerant WLUD read-assist and TVC write-assist	Fan, M.-L.; Su, P.; Chuang, C.-T.; 胡壁合; Hu, V.P.-H.

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