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机构	日期	题名	作者
中國文化大學	2006-06-01	對CMOS閘極氧化層線寬為130nm、90nm、65nm時的模擬與分析	陳宜澤; 馮舉威; 邱顯嘉; 胡峻諺; 謝宗原; 譚湘瑜
中國文化大學	2006	具有最佳熱穩定度的完全矽化鎳做為 CMOS 閘極矽化金屬材料之研究	胡峻諺

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