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"胡振國"
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| 臺大學術典藏 |
2001-07-31 |
液相氧化及輻射技術在超薄閘極氧化層製程之應用
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胡振國; 胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
2001 |
快速熱機台設備及製程研發(2/3)─子計畫一:快速熱重覆脈衝加熱製程系統之研究
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胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
2001 |
快速熱機台設備及製程研發(2/3)─總計畫
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胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
2001 |
快速熱機台設備及製程研發(2/3)─子計畫一:快速熱重覆脈衝加熱製程系統之研究
|
胡振國; 胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
2001 |
快速熱機台設備及製程研發(2/3)─總計畫
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胡振國; 胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
2000-07-31 |
低漏流高穩定性超薄閘極氧化層製程研究
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胡振國 |
| 國立臺灣科技大學 |
2000 |
快速熱機台設備及製程研發---總計畫(II)
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胡振國 |
| 國立臺灣科技大學 |
2000 |
快速熱機台設備及製程研發---子計畫I：快速熱重覆脈衝加熱製程系統之研究(II)
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胡振國;馮蟻剛 |
| 國立臺灣科技大學 |
2000 |
低漏流高穩定性超薄閘極氧化層製程研究
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胡振國 |
| 國立臺灣科技大學 |
2000 |
快速熱機台設備及製程研發---總計畫(I)
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胡振國;劉致為;翁宗賢 |
| 國立臺灣大學 |
2000 |
快速熱機台設備及製程研發(1/3)─子計畫一:快速熱重覆脈衝加熱製程系統之研究
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胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
2000 |
快速熱機台設備及製程研發(1/3)─總計畫
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胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
2000 |
快速熱機台設備及製程研發(1/3)─總計畫
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胡振國; 胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1999 |
半導體關鍵設備研發(III)─子計畫一：快速熱處理機台自動化研究
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胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1999 |
─半導體關鍵設備研發－總計畫(III)
|
胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1999 |
快速熱氧化層製程對厚度均勻度及電特性影響之研究
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胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1999 |
參加1998國際電子元件材料會議
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胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
1999 |
半導體關鍵設備研發(III)─子計畫一：快速熱處理機台自動化研究
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胡振國; 胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
1999 |
快速熱氧化層製程對厚度均勻度及電特性影響之研究
|
胡振國; 胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
1999 |
參加1998國際電子元件材料會議
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胡振國; 胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
1999 |
─半導體關鍵設備研發－總計畫(III)
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胡振國; 胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1998 |
半導體關鍵設備研發(II)─子計畫一:快速熱處理機台自動化研究
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胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1998 |
半導體工程人才培育計畫─子計畫二:矽金氧半光電元件製作(3/3)
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胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1998 |
低溫預成長再高溫快速熱處理備製薄閘極氧化層
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胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
1998 |
半導體工程人才培育計畫─子計畫二:矽金氧半光電元件製作(3/3)
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胡振國; 胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
1998 |
低溫預成長再高溫快速熱處理備製薄閘極氧化層
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胡振國; 胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1997 |
半導體工程人才培育計畫─半導體工程人才培育計畫:子計畫二:矽金氧半光電元件製作(II)
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胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1997 |
半導體關鍵設備研發─子計畫一：快速熱處理機台自動化研究(I)
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胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1997 |
以液相沉積法將雜質含入矽氧化層技術之研發
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胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
1997 |
半導體工程人才培育計畫─半導體工程人才培育計畫:子計畫二:矽金氧半光電元件製作(II)
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胡振國; 胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
1997 |
半導體關鍵設備研發─子計畫一：快速熱處理機台自動化研究(I)
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胡振國; 胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
1997 |
以液相沉積法將雜質含入矽氧化層技術之研發
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胡振國; 胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1996 |
半導體工程人才培育計畫─半導體工程人才培育計畫:子計畫二:矽金氧半光電元件製作
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胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1996 |
快速熱技術在矽金氧半元件制程之應用
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胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1996 |
複合式半導體微型壓力感測計之研究(總計畫)
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呂學士; 胡振國; 張培仁; Lu, Shey-Shi; Hwu, Jenn-Gwo; Chang, Pei-Zen |
| 臺大學術典藏 |
1996 |
複合式半導體微型壓力感測計之研究(總計畫)
|
呂學士; 胡振國; 張培仁; 呂學士; 胡振國; 張培仁 |
| 國立臺灣大學 |
1995 |
以快速熱程序生長及退火薄閘極氧化層
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胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1995 |
複合式半導體微型壓力感測器之研究\─複合式半導體微型壓力感測器之研究:子計畫一-壓力感測器用之矽金氧半場效電晶體放大器製作及穩定
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胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1995 |
Aspect Ratio Effect on the Radiation Hardness of CMOS Inverters
|
胡振國; Jeng, M. J.; Hwu, Jenn-Gwo; Jeng, M. J. |
| 國立臺灣大學 |
1995 |
Improvement in Reliability of n-MOSFETs by Using Rapid Thermal N20- Reoxidized Gate Oxides
|
胡振國; Wu, Y. L.; Wu, Z. Y.; Hwu, Jenn-Gwo; Wu, Y. L.; Wu, Z. Y. |
| 國立臺灣大學 |
1995 |
Radiation Hardness of Coplanar Submicron Gap Charge-Coupled Devices (CCD) with Rapid Thermal Nitrided Oxides
|
胡振國; Lee, K. C.; Hwu, Jenn-Gwo; Lee, K. C. |
| 臺大學術典藏 |
1995 |
以快速熱程序生長及退火薄閘極氧化層
|
胡振國; 胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
1995 |
複合式半導體微型壓力感測器之研究\─複合式半導體微型壓力感測器之研究:子計畫一-壓力感測器用之矽金氧半場效電晶體放大器製作及穩定
|
胡振國; 胡振國 |
| 臺大學術典藏 |
1995 |
Aspect Ratio Effect on the Radiation Hardness of CMOS Inverters
|
Hwu, Jenn-Gwo; Jeng, M. J.; 胡振國; Jeng, M. J.; Hwu, Jenn-Gwo |
| 國立臺灣大學 |
1994-10 |
金氧半元件輻射效應及互補金氧半反相器中元件比之設計考慮
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胡振國; 鄭明哲; Hwu, Jenn-Gwo; 鄭明哲 |
| 國立臺灣大學 |
1994 |
以含氮氧化矽閘極製程製作高穩定度矽金氧半元件
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胡振國 |
| 國立臺灣大學 |
1994 |
Radiation Hardness on Fluorinated Oxides Prepared by Liquid Phase Deposition Method Following Rapid Thermal Annealing Treatment
|
Lu, W. S.; 胡振國; Chou, J. S.; 李嗣涔; Lu, W. S.; Hwu, Jenn-Gwo; Chou, J. S.; Lee, Si-Chen |
| 國立臺灣大學 |
1994 |
Application of Irradiation-Then-Nitridation to the Improvement of Radiation Hardness in MOS Gate Dielectrics
|
Lee, K. C.; 胡振國; Lee, K. C.; Hwu, Jenn-Gwo |
| 國立臺灣大學 |
1994 |
Design and Fabrication of Basic Silicon MOS Digital Ciruits
|
胡振國; Hwu, Jenn-Gwo |
| 國立臺灣大學 |
1994 |
Effect of Fluorine on the Radiation Hardness of Gate Oxides Prepared by Liquid Phase Deposition Following Rapid Thermal Oxidation
|
胡振國; Lu, W. S.; Hwu, Jenn-Gwo; Lu, W. S. |
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